全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥近日宣布，其極紫外光刻（EUV）技術(shù)取得重大突破。通過優(yōu)化光源功率系統(tǒng)，該公司成功將極紫外光源的輸出功率提升至1000瓦特級(jí)別，這項(xiàng)技術(shù)改進(jìn)預(yù)計(jì)可使芯片制造商的晶圓生產(chǎn)效率顯著提高。

作為全球唯一具備商用極紫外光刻設(shè)備生產(chǎn)能力的企業(yè)，阿斯麥的這項(xiàng)技術(shù)升級(jí)具有行業(yè)里程碑意義。根據(jù)技術(shù)團(tuán)隊(duì)測(cè)算，到2030年相關(guān)設(shè)備的每小時(shí)晶圓處理量將較當(dāng)前水平提升50%，這將直接推動(dòng)臺(tái)積電、英特爾等頭部企業(yè)的先進(jìn)制程芯片產(chǎn)能擴(kuò)張。

極紫外光刻機(jī)是制造7納米及以下制程芯片的核心設(shè)備，其光源功率直接影響光刻分辨率和生產(chǎn)效率。此次功率提升意味著在相同時(shí)間內(nèi)可以完成更多曝光工序，同時(shí)保持極高的工藝精度。行業(yè)分析師指出，這項(xiàng)突破將緩解當(dāng)前全球先進(jìn)芯片產(chǎn)能緊張的局面，并為3納米以下制程的量產(chǎn)鋪平道路。

據(jù)技術(shù)白皮書披露，阿斯麥通過改進(jìn)等離子體約束裝置和光路優(yōu)化系統(tǒng)，在保持光源穩(wěn)定性的前提下實(shí)現(xiàn)了功率躍升。這項(xiàng)改進(jìn)不需要對(duì)現(xiàn)有設(shè)備架構(gòu)進(jìn)行重大改造，現(xiàn)有客戶可通過模塊升級(jí)方式獲得產(chǎn)能提升。英特爾設(shè)備工程部門負(fù)責(zé)人表示，功率提升將使EUV光刻機(jī)的綜合利用率提高至90%以上，顯著降低單位芯片制造成本。

當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷新一輪技術(shù)競(jìng)賽，極紫外光刻機(jī)的產(chǎn)能瓶頸已成為制約先進(jìn)制程發(fā)展的關(guān)鍵因素。阿斯麥的這次技術(shù)突破不僅鞏固了其市場(chǎng)壟斷地位，更為全球芯片制造商提供了重要的產(chǎn)能保障。隨著2030年技術(shù)目標(biāo)的逐步實(shí)現(xiàn)，極紫外光刻技術(shù)有望推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新的發(fā)展階段。