尼西半導體科技（上海）有限公司近日宣布，其位于上海松江綜保區的全球首條35微米功率半導體超薄晶圓工藝及封裝測試生產線正式投入運營。該生產線通過將晶圓厚度縮減至35微米，顯著降低了功率芯片的導通電阻與熱阻，為新能源汽車、5G基站等高功率密度應用場景提供了關鍵技術支撐，同時為國產功率器件進入高壓平臺及快充市場奠定了產能基礎。

在工藝創新方面，尼西半導體實現了多項技術突破。晶圓加工精度被嚴格控制在35±1.5微米范圍內，并通過化學腐蝕技術消除了92%的研磨應力損傷，使極薄晶圓的碎片率降至0.1%以下。切割環節采用定制化激光技術替代傳統刀片，熱影響區大幅縮小，切割良率提升至98.5%。設備參數顯示，產線研磨機加工精度達0.1微米，片內厚度偏差小于2微米；激光切割機切縫寬度僅11微米，較傳統工藝可提升約10%的芯片有效面積利用率。

電氣性能的優化是該技術的核心優勢之一。數據顯示，35微米超薄晶圓工藝使載流子通行時間縮短40%，熱阻較傳統100微米標準產品下降60%。封裝環節引入雙面散熱設計后，模塊熱阻進一步降低30%，功率循環壽命提升至原來的5倍。應用端測算表明，同等晶圓面積下芯片產出量增加20%，可實現手機快充模塊體積減半，并為電動汽車電控單元減重3公斤。

產能方面，該產線測試環節單日可處理12萬顆成品，鍵合機單日產能約400片。值得關注的是，產線中的鍵合、研磨、切割及解鍵合等核心裝備均由尼西半導體與國內設備廠商聯合研發，通過協同創新實現了關鍵設備的自主可控，填補了國內相關制造領域的技術空白。這一成果標志著我國在高端功率半導體制造領域取得了重要進展。