格隆匯3月13日｜韓國首爾經濟日報援引不具名行業官員消息稱，三星電子正與英偉達合作，加速開發下一代NAND閃存芯片。來自三星半導體研究所、英偉達以及佐治亞理工學院（Georgia Tech）的聯合研究團隊開發了一種“物理信息神經算子”（Physics Informed Neural Operator）模型。

該模型能夠分析鐵電體（Ferroelectric）基NAND設備的性能，其分析速度比現有模型快10,000倍以上。相關研究成果已經公布。基于這些研究發現，三星正與英偉達就鐵電NAND的開發與商業化展開合作。