全球晶圓代工領域，臺積電持續占據主導地位，去年其市場份額高達70%，在先進工藝方面更是大幅領先同行。目前，臺積電已實現2nm工藝的量產，而1nm工藝的研發也在穩步推進。
在1nm工藝建廠籌備工作中，園區土地的準備是首要環節。據悉，總面積達531公頃的臺南沙侖園區，將于今年4月進入二期環評階段，預計在2027年第三季度完成最終環評。環評通過后，該園區將交付給臺積電用于建廠，初期規劃規模至少為200公頃。
按照臺積電此前公布的計劃，沙侖園區將建設6座晶圓廠。其中，P1至P3工廠主要面向1.4nm工藝A14，P4至P6工廠則專注于1nm工藝，并且后期不排除開展0.7nm工藝的研發與建設。
在工藝路線規劃方面，臺積電已公布了詳細的時間表。2nm工藝的N2工藝于去年底開始量產，今年蘋果、AMD等公司已將其大規模應用于商業產品中。A16工藝將由NVIDIA的費曼GPU首發，今年底進入試產階段，預計2027年實現量產。A16之后是A14工藝，即1.4nm級別工藝，該工藝將升級第二代GAA晶體管結構并采用背面供電技術，預計在2028年推出。
對于備受矚目的1nm工藝，臺積電此前公布的信息相對有限。按照行業慣例，該工藝可能被命名為A10，這將是臺積電首個埃米級工藝。此前，英特爾的20A工藝曾宣稱是全球首個埃米級工藝，但實際上并未達到1nm以下的水平，因此這一稱號存在一定爭議。
目前，臺積電1nm工藝的技術細節尚未公布。有傳聞稱，該工藝可能會將晶體管結構從GAA升級到CFET，甚至有可能采用2D材料，但具體技術路線仍難以確定。
臺積電為1nm工藝設定了明確的目標。在2023年，公司提出要在1nm節點實現單芯片集成2000億個晶體管，通過3D封裝技術集成1萬億個晶體管。這一目標與英特爾此前提出的1萬億晶體管集成目標相同，究竟哪家公司能夠率先實現，成為行業關注的焦點。
