在英偉達GPU技術大會（GTC）上，存儲領域迎來重要進展——美光宣布多款專為英偉達Vera Rubin平臺設計的存儲產品進入大規模量產階段，涵蓋高帶寬內存、內存模塊及數據中心固態硬盤三大產品線，為AI計算性能提升注入新動能。
作為核心產品之一，美光HBM4系列內存實現關鍵突破。今年一季度投產的36GB 12層堆疊版本已開始向客戶交付，其引腳速率突破11Gb/s，內存帶寬達2.8TB/s，較前代HBM3E提升2.3倍，同時功耗效率優化超20%。更值得關注的是，16層堆疊的48GB版本已進入樣品測試階段，單顆容量較12層版本增加33%，可顯著提升單個HBM插槽的內存密度，為處理超大規模數據集提供硬件支撐。
在內存模塊領域，美光SOCAMM2系列正式量產引發行業關注。該系列192GB版本專為Vera Rubin NVL72系統及獨立Vera CPU平臺設計，單顆CPU可配置最高2TB內存容量，帶寬達1.2TB/s。產品線覆蓋48GB至256GB容量區間，通過模塊化設計滿足從邊緣計算到超大規模數據中心的差異化需求，有效解決AI訓練中內存容量與帶寬的瓶頸問題。
固態存儲方面，美光推出全球首款針對英偉達BlueField-4 STX架構優化的PCIe Gen 6接口SSD——Micron 9650。該產品順序讀取速度達28GB/s，隨機讀取性能突破550萬IOPS，較PCIe Gen 5產品實現近翻倍性能提升。在能效比方面，單位功耗性能提升約兩倍，特別適用于需要高吞吐量與低延遲的AI推理場景，可顯著降低數據中心運營成本。
技術專家指出，美光此次量產的產品矩陣形成協同效應：HBM4的高帶寬特性與SOCAMM2的大容量優勢互補，Micron 9650 SSD則通過高速存儲加速數據流轉。這種軟硬協同的設計理念，恰好契合英偉達Vera Rubin平臺對異構計算效率的極致追求，有望推動生成式AI、大語言模型等前沿應用進入新發展階段。
