3 月 23 日消息，晶圓代工龍頭臺積電已宣布計劃于 2027 年終止氮化鎵 (GaN) 晶圓的生產(chǎn)，與此同時三星電子將其視為重要增長點(diǎn)。根據(jù)韓媒 THE ELEC 當(dāng)?shù)貢r間本月 19 日的報道，三星的 8 英寸 GaN 生產(chǎn)線即將就緒。
三星半導(dǎo)體最初在 2023 年表示其功率半導(dǎo)體晶圓廠將于 2025 年投產(chǎn)，不過實際進(jìn)度要慢上一些。最新行業(yè)消息顯示，三星的首條 8 英寸 GaN 生產(chǎn)線最快 2026Q2 投產(chǎn)，預(yù)計初期營收規(guī)模在 1000 億韓元（注：現(xiàn)匯率約合 4.62 億元人民幣）以內(nèi)。
報道指出，三星電子已建立除芯片設(shè)計外的 GaN 解決方案體系，可自產(chǎn) GaN 外延晶圓。
除 GaN 外，三星電子還計劃在年內(nèi)投運(yùn)碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體晶圓代工生產(chǎn)線。在 SiC 上三星擁有包括設(shè)計在內(nèi)的全流程能力，可與 GaN 在不同耐壓區(qū)間形成互補(bǔ)。
