全球存儲芯片巨頭美光科技今日宣布，將在新加坡啟動一座具有里程碑意義的NAND閃存晶圓廠建設項目。這座采用雙層設計的現代化工廠，不僅是新加坡半導體產業的首個多層晶圓制造基地，更以240億美元的十年投資規模引發行業關注。按當前匯率計算，該筆投資相當于約1671.65億元人民幣。
作為美光全球戰略布局的重要支點，新加坡現有生產基地已承擔著關鍵NAND閃存制造任務。此次新建項目將新增70萬平方英尺（約65032平方米）的潔凈室空間，其生產規模與工藝水平將直接服務于人工智能領域爆發式增長的存儲需求。值得注意的是，該晶圓廠將與美光同期推進的高帶寬內存（HBM）先進封裝工廠形成協同效應，共同構建覆蓋存儲芯片全鏈條的制造體系。
根據建設規劃，這座雙層晶圓廠預計于2028年下半年正式投入量產。項目采用垂直空間拓展的創新設計，在有限土地資源上實現產能最大化布局，這種突破傳統平面布局的建造模式，為半導體制造業提供了新的發展范式。業內人士分析，隨著AI算力需求的指數級增長，美光通過雙線投資強化存儲芯片供應能力，將有效緩解市場對高端存儲產品的供需矛盾。
新加坡經濟發展局相關負責人表示，美光持續加碼本地投資，不僅鞏固了該國在全球半導體供應鏈中的樞紐地位，其創新的雙層晶圓廠設計更為區域產業升級提供了示范樣本。隨著項目進入實質建設階段，預計將創造超過2000個專業技術崗位，并帶動上下游產業鏈形成集群效應。
