三星電子正加速布局下一代內存芯片生產，計劃在平澤P4晶圓廠綜合體新建一條1c納米級DRAM生產線，專門用于生產HBM4內存所需的核心芯片。這條新生產線預計于明年第一季度正式投產，初期月產能將達到10萬至12萬片晶圓，占三星2026年DRAM總產能的近五分之一。
目前三星已具備每月約6.5萬片1c納米DRAM的產能，隨著新生產線投產，HBM4相關芯片的產能占比將提升至整體DRAM產量的四分之一。在配套組件方面，平澤S5晶圓廠的4納米生產線已全面投入運營，專門用于生產HBM4基礎芯片，形成完整的供應鏈體系。
為滿足消費電子市場對高性能內存的需求，三星同步推進現有產線升級計劃。位于華城的Fab 17工廠將把現有DRAM生產線升級至1c納米工藝，重點服務智能手機、智能家電等領域的通用型內存需求。這項改造工程將與新建生產線形成協同效應，進一步鞏固三星在先進內存市場的技術優勢。
