據韓國媒體ETNEWS報道，英偉達正在為其下一代Rubin AI GPU的HBM內存設計制定一項創新策略——Dual Bin方案。該方案通過劃分不同速度等級的內存模塊，在性能表現與供應鏈穩定性之間尋求平衡點，以應對當前AI芯片市場面臨的產能挑戰。
根據技術路線圖，英偉達計劃在旗艦級產品中采用11.7Gbps速率的高速HBM4內存，而面向主流市場的產品將配備10Gbps規格的HBM4。這種差異化配置策略具有雙重考量：高速版本雖能提供更強的計算性能，但受制于當前工藝成熟度導致產能受限；較低速版本則可通過穩定供應保障整體出貨量。行業觀察人士指出，這種"雙軌制"內存方案既能滿足高端客戶對極致性能的需求，又能通過主流產品維持市場占有率。
內存帶寬作為制約AI芯片實際算力的關鍵因素，直接影響模型訓練與推理效率。分析機構認為，英偉達可能將研發重心向搭載高速HBM4的旗艦Rubin芯片傾斜，這類產品預計將應用于超大規模數據中心和前沿AI研究領域。與此同時，通過優化10Gbps版本的產品設計，英偉達可確保在高速內存產能爬坡階段維持穩定的市場供應，避免因單一規格供應短缺影響整體業務布局。
當前全球HBM內存市場呈現供不應求態勢，三星、SK海力士等主要供應商的產能擴張速度難以匹配AI芯片需求增長。英偉達此次推出的Dual Bin策略，實質上是通過產品分級管理實現供應鏈風險分散，這種靈活的內存配置方案或將成為未來高端計算芯片的標配設計。隨著Rubin架構芯片量產時間表的臨近，內存策略的實際效果將成為觀察英偉達市場競爭力的重要指標。
