全球晶圓代工領域正迎來新的技術布局調整。據(jù)行業(yè)消息，三星電子將氮化鎵（GaN）視為功率半導體業(yè)務的重要增長極，其位于韓國的首條8英寸GaN專用生產線已進入最后籌備階段，最快將于2026年第二季度正式投產。該產線初期預計實現(xiàn)年營收不超過1000億韓元（約合人民幣4.62億元），標志著這家半導體巨頭在化合物半導體領域邁出關鍵一步。
與三星積極擴張形成對比的是，臺積電近日宣布將于2027年全面停產GaN晶圓。這一決策差異凸顯出兩大廠商在第三代半導體技術路線上的戰(zhàn)略分化。臺積電雖未公開具體原因，但行業(yè)分析認為其可能將資源集中于碳化硅（SiC）等更具長期潛力的材料領域。
三星在GaN領域的布局早有伏筆。2023年該公司曾宣布建設功率半導體專用晶圓廠，雖實際進度較原計劃有所延遲，但技術儲備已趨成熟。目前三星已構建起覆蓋外延生長、晶圓制造的完整GaN解決方案體系，成為全球少數(shù)具備自主生產能力的廠商之一。這種垂直整合模式使其在成本控制和工藝優(yōu)化方面占據(jù)優(yōu)勢。
在化合物半導體雙線并進策略下，三星同步推進碳化硅產線建設。預計年內投產的SiC晶圓代工線將實現(xiàn)從設計到制造的全流程覆蓋，與GaN產品形成技術互補。兩種材料分別適用于不同電壓區(qū)間，這種差異化布局可使三星覆蓋更廣泛的應用場景，從消費電子快充延伸至新能源汽車、工業(yè)電機等高端市場。
行業(yè)觀察人士指出，三星的激進擴張或將改變第三代半導體市場格局。當前GaN市場主要由英飛凌、Qorvo等國際大廠主導，三星憑借晶圓代工領域的規(guī)模優(yōu)勢和技術積累，有望在功率半導體領域開辟新的增長賽道。不過新產線達產周期和良率控制仍是其面臨的主要挑戰(zhàn)。
