存儲芯片市場正經歷新一輪價格波動，通用DRAM與NAND閃存兩大核心產品價格持續攀升。根據最新市場研究報告，2026年第一季度通用DRAM合約價格環比漲幅達93%至98%，NAND閃存合約價格則上漲85%至90%，這一數據遠超此前市場預期的80%漲幅。
報告指出，DRAM價格飆升主要源于供應鏈結構調整。盡管部分消費電子市場需求出現疲軟跡象，但供應商持續將產能向服務器領域傾斜，導致整體供應持續緊張。這種供需失衡狀態直接推高了市場價格，形成"結構性短缺"格局。值得關注的是，服務器市場對高帶寬內存的需求仍在快速增長，進一步加劇了供應壓力。
NAND閃存市場呈現差異化走勢。消費級產品因價格壓力導致需求收縮，但企業級固態硬盤市場表現強勁。供應商將超過60%的新增產能投入數據中心領域，滿足AI訓練與推理產生的海量存儲需求。這種產能轉移策略使得企業級產品價格保持堅挺，而消費級產品價格漲幅相對溫和。
對于第二季度走勢，市場研究機構預測通用DRAM價格將繼續上漲58%至63%，NAND閃存漲幅達70%至75%。這種持續上漲態勢主要受三大因素驅動：服務器廠商持續補庫存、AI算力集群建設加速、以及全球數據中心擴容計劃。盡管部分終端廠商開始尋求替代方案，但短期內難以改變供應緊張局面。
行業觀察人士指出，本輪價格上漲周期可能延續至2026年底。三大存儲原廠已明確表示，2026年資本支出將聚焦先進制程研發與高端產品擴產，傳統消費級產品產能擴張計劃持續推遲。這種戰略調整將進一步改變市場供需格局，推動存儲芯片市場進入新的價格周期。
