據行業消息，英偉達對其人工智能芯片Rubin Ultra的架構設計作出重大調整，決定放棄原本計劃的4-Die激進方案，轉而采用技術更為成熟的2-Die架構。這一變動預計將使該芯片于2027年正式進入市場。
在芯片制造領域，Die（通常被稱為裸片、裸晶或晶粒）指的是從圓形硅晶圓上通過精密切割工藝分離出來的、包含完整集成電路功能的小型方塊。英偉達此次調整架構方案，主要源于先進封裝技術面臨的物理極限挑戰。若強行采用4-Die架構，芯片封裝尺寸將大幅增加，面積可能達到光罩極限的8倍左右。
更大的封裝尺寸不僅會影響制造良率，還會顯著推高生產成本。因此，回歸2-Die架構成為英偉達在制造成本與量產效率之間尋求平衡的更優選擇。
在制造工藝方面，Rubin Ultra將采用臺積電的N3P工藝節點，并結合CoWoS-L先進封裝技術。盡管架構方案有所調整，但英偉達并未削減對臺積電的晶圓代工訂單。相反，公司正在微調投片策略，將更多產能向當前的Blackwell架構傾斜。
此前有報道指出，臺積電3納米工藝節點的產能需求持續旺盛，人工智能核心芯片對先進制程的消耗量正在快速攀升。數據顯示，明年人工智能芯片在3納米產能中的占比僅為5%，但到后年，這一比例預計將大幅躍升至36%。
