近期，存儲芯片市場迎來顯著變化，價(jià)格開啟上漲周期。這一態(tài)勢的形成，主要受到多方面因素影響：AI服務(wù)器需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，使得存儲芯片產(chǎn)能向HBM及高端DDR5傾斜；同時(shí)，行業(yè)庫存處于歷史低位，進(jìn)一步加劇了市場供需的不平衡，從而推動(dòng)存儲芯片價(jià)格上行。

在此市場環(huán)境下，國內(nèi)外存儲芯片企業(yè)業(yè)績表現(xiàn)亮眼。從最新發(fā)布的一季報(bào)來看，多家公司成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，還有不少企業(yè)的凈利潤呈現(xiàn)出倍數(shù)增長的態(tài)勢，這充分反映出存儲芯片市場的回暖以及企業(yè)盈利能力的提升。

招商證券分析指出，海外存儲原廠目前面臨著需求旺盛但供給緊張的局面。基于這一現(xiàn)狀，預(yù)計(jì)到2026年二季度，存儲芯片價(jià)格將進(jìn)一步上漲。對于2026年全年，海外存儲原廠的盈利預(yù)期較為樂觀。與此同時(shí)，國內(nèi)模組廠也展現(xiàn)出良好的發(fā)展態(tài)勢，收入利潤高增長的態(tài)勢有望持續(xù)。國內(nèi)存儲及先進(jìn)制程領(lǐng)域持續(xù)進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備國產(chǎn)化率正進(jìn)入快速提升階段。在此背景下，整體看好存儲高敞口設(shè)備材料公司，后續(xù)將持續(xù)關(guān)注原廠的下單節(jié)奏。

國聯(lián)民生證券則從不同角度闡述了存儲芯片市場的機(jī)遇。其一，內(nèi)存壓縮技術(shù)的突破將成為長期驅(qū)動(dòng)存儲市場需求持續(xù)擴(kuò)容的關(guān)鍵因素。以谷歌TurboQuant帶來的內(nèi)存效率躍升為例，從長期視角看，這并非會(huì)壓縮市場空間，而是會(huì)通過多重傳導(dǎo)邏輯拉動(dòng)存儲需求增長。內(nèi)存壓縮技術(shù)可能會(huì)促使開發(fā)者將原本被壓縮的內(nèi)存空間用于拓展更大規(guī)模的上下文窗口，進(jìn)而支撐起百萬級Token的全代碼庫分析、超長視頻理解等新興場景，新增的需求會(huì)對釋放的內(nèi)存空間形成有效消耗。其二，NAND閃存正處于漲價(jià)上行通道，且長期需求具備堅(jiān)實(shí)支撐。在本輪存儲行業(yè)漲價(jià)周期中，NAND閃存的漲價(jià)節(jié)奏與漲幅和DRAM存在顯著差異，當(dāng)前其仍處于具備充足上行空間的漲價(jià)階段。其三，國內(nèi)模組廠的產(chǎn)品以NAND類為主，長期需求相對穩(wěn)定，價(jià)格上行趨勢有望延續(xù)。