據韓國科技媒體Etnews最新披露，存儲巨頭閃迪已正式啟動高帶寬閃存（HBF）的產業化進程。該企業正在與材料供應商、設備制造商及零部件企業協同構建完整產業鏈，計劃于今年下半年完成首批工程樣品生產。
行業知情人士透露，閃迪正以第三季度完成關鍵設備導入為目標，與多家核心供應商展開技術對接。部分設備廠商已收到采購意向書，涉及晶圓傳輸、堆疊封裝等關鍵環節。業內預測該生產線將于第四季度進入試運行階段，2025年正式投入商業量產。
這項被視為AI存儲革命的技術方案，其核心架構與高帶寬內存（HBM）存在異曲同工之妙。通過將傳統NAND閃存芯片進行3D垂直堆疊，配合新型互連技術，在保持非易失性存儲特性的同時，將數據帶寬提升至現有產品的3倍以上，單顆芯片容量更可突破1TB級別。這種特性使其成為訓練大模型等高吞吐場景的理想解決方案。
存儲行業正形成技術競速態勢。SK海力士已與閃迪建立聯合工作組，重點推進接口協議標準化；三星電子則采取獨立研發路線，其32層堆疊試驗品已進入可靠性測試階段。市場研究機構TrendForce指出，HBF技術有望在2026年前占據AI服務器存儲市場15%的份額，推動整個存儲產業向高帶寬方向升級。
