據科技媒體報道，英特爾在代工業務領域取得重大進展，成功贏得重量級客戶聯發科的青睞。聯發科計劃采用英特爾最先進的14A工藝量產其天璣系列移動芯片，這一合作標志著英特爾在晶圓代工市場邁出關鍵一步。
消息人士透露，英特爾正積極拓展高端客戶群體。此前有報道稱，蘋果公司已與英特爾簽署保密協議，正在評估其18A-P工藝的可行性。若評估順利，蘋果或將在2027至2028年間，將部分非Pro系列iPhone芯片及低端M系列芯片的生產交由英特爾負責。廣發證券分析指出，蘋果2028年推出的定制ASIC芯片，也可能采用英特爾的EMIB封裝技術。
技術層面，英特爾在18A和14A工藝節點上全面應用了“背面供電技術”（BSPD）。該技術通過芯片背面的粗金屬層供電，可顯著降低電壓損耗、穩定工作頻率，并釋放正面布線空間，從而提升晶體管密度。然而，這項創新設計也帶來了新的挑戰——更嚴重的“自熱效應”。
自熱效應對移動設備的影響尤為突出。由于智能手機散熱空間有限，且移動SoC對熱功耗設計（TDP）極為敏感，積熱問題可能成為制約性能的關鍵因素。相較于配備主動散熱系統的服務器或PC芯片，移動芯片若無法有效散熱，將直接影響能效表現。若英特爾未能解決14A工藝的積熱難題，聯發科天璣芯片的能效優勢或將面臨考驗。
