三星電子在內(nèi)存技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其新一代LPDDR6內(nèi)存已完成關(guān)鍵技術(shù)突破，并計(jì)劃于2026年下半年正式投入商用。這款采用全新動態(tài)功率管理系統(tǒng)的內(nèi)存產(chǎn)品，初始運(yùn)行速度即達(dá)到10.7Gbps，較現(xiàn)有LPDDR5方案能效提升約21%。隨著技術(shù)持續(xù)優(yōu)化，后續(xù)版本更有望實(shí)現(xiàn)14.4Gbps的突破性速度。

在內(nèi)存技術(shù)演進(jìn)路線圖中，三星同步布局了增強(qiáng)版LPDDR6X的研發(fā)。盡管JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化組織尚未公布具體技術(shù)參數(shù)，但行業(yè)消息顯示該產(chǎn)品將在帶寬和延遲指標(biāo)上挑戰(zhàn)DRAM物理極限。這款尚未完全定型的內(nèi)存方案，已引發(fā)芯片廠商的密切關(guān)注——三星近期已向高通寄送LPDDR6X工程樣品，用于下一代AI芯片的協(xié)同測試。

當(dāng)前AI計(jì)算領(lǐng)域呈現(xiàn)技術(shù)路線分化態(tài)勢：高端訓(xùn)練芯片普遍采用HBM高帶寬內(nèi)存，但其復(fù)雜的3D堆疊工藝導(dǎo)致封裝成本激增，驗(yàn)證周期延長至傳統(tǒng)方案的3倍以上。相比之下，LPDDR系列憑借單芯片架構(gòu)和成熟制程，在成本敏感型應(yīng)用中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢。高通選擇在AI250芯片中引入LPDDR6X，正是看中其在性能、功耗和成本間的平衡特性，該方案較HBM方案可降低40%的系統(tǒng)級成本。

據(jù)供應(yīng)鏈消息，LPDDR6X的量產(chǎn)進(jìn)程仍面臨技術(shù)挑戰(zhàn)。其采用的1β制程節(jié)點(diǎn)需要突破信號完整性、散熱管理等工程難題，預(yù)計(jì)2027年下半年才能完成商用標(biāo)準(zhǔn)制定。不過業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，隨著邊緣計(jì)算設(shè)備對內(nèi)存性能需求的指數(shù)級增長，LPDDR6X有望在智能汽車、工業(yè)機(jī)器人等領(lǐng)域率先實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，其單位帶寬成本較LPDDR5將下降35%以上。