英偉達首席執行官黃仁勛近日以一場別開生面的晚宴，向半導體行業傳遞了明確信號：高帶寬內存HBM4已成為其下一代AI加速器的核心戰略組件。這場在硅谷韓式餐廳舉行的聚會，匯聚了SK海力士與英偉達的30余名工程師，黃仁勛親自為每桌調制燒啤并多次舉杯，強調"我們共同肩負著改變世界的使命"，特別提及SK海力士承諾交付的第六代HBM4產品對Vera Rubin加速器的關鍵作用。
據行業知情人士透露，英偉達對HBM4設定了嚴苛的技術標準：運行速度需突破11 Gbps，帶寬達到3.0 TB/s以上，較競爭對手AMD的同類要求高出三成。這種技術差距使HBM4成為Vera Rubin區別于市場其他產品的核心差異化要素，該加速器計劃于今年下半年推出，其性能表現將直接取決于HBM4的供應質量與穩定性。
當前HBM4市場競爭格局正發生微妙變化。三星電子于2月中旬率先向英偉達交付首批正式產品，其12層堆疊DRAM模塊實現11.7 Gbps運行速度與3.3 TB/s帶寬，成為行業首個達標者。SK海力士雖已提供性能達標的付費樣品，但仍在進行最后的優化工作，預計近期將獲得英偉達的批量供應認證。美光科技則以約20%的份額參與競爭，其技術路線圖顯示產品交付將滯后于韓系雙雄。
這場被半導體業界稱為"工程師外交"的晚宴，實則是黃仁勛對供應鏈的深度干預。在長達兩小時的交流中，他多次提及"時間表不容有失"，要求SK海力士團隊確保無延遲交付頂級性能產品。這種高層直接介入供應鏈管理的舉動，反映出英偉達對HBM4供應風險的嚴峻判斷——任何技術延遲都可能導致其在下半年AI芯片市場的競爭中處于劣勢。
回顧合作歷程，SK海力士自2020年憑借HBM2E打入英偉達供應鏈后，逐步成為HBM3/3E的事實獨家供應商。這種緊密合作關系與臺積電的先進封裝技術形成三角聯盟，支撐起英偉達在AI芯片領域的統治地位。但隨著HBM4技術代際的跨越，競爭格局正在重塑：三星通過提前出貨搶占先機，美光則通過差異化技術路線尋求突破，SK海力士的領先地位面臨嚴峻挑戰。
行業分析師指出，HBM4的競爭本質是技術路線與工程能力的雙重較量。三星采用激進的12層堆疊設計，SK海力士則側重于性能優化與良率提升，這種策略差異將在未來三個月的質量驗證期接受市場檢驗。英偉達去年12月制定的供應份額分配方案顯示，SK海力士暫獲55%以上訂單，但三星的技術突破可能引發份額重新洗牌。
值得關注的是，內存廠商正面臨通用DRAM與HBM的產能分配抉擇。隨著通用DRAM價格回升，部分廠商開始調整生產重心，這可能影響HBM4的最終供應規模。黃仁勛在晚宴上的表態，既是對合作伙伴的技術鞭策，也暗含對產能保障的深層關切——在AI算力需求呈指數級增長的背景下，HBM4的供應穩定性已成為決定行業格局的關鍵變量。
