在最新一期的YouTube視頻中，V?t V? Studio頻道的主播Long Ngong對三星Galaxy S26和Galaxy S26+兩款手機搭載的Exynos 2600芯片進行了極限測試。結果顯示，三星成功解決了長期困擾用戶的芯片發熱降頻問題，展現出顯著的溫控改進。
為了驗證Exynos 2600芯片的實際散熱能力，Long Ngong在約26℃的室溫環境下，將兩款手機設置為最高畫質，連續運行了《英雄聯盟手游》《原神》和《崩壞》三款高負載游戲。測試數據顯示，Galaxy S26基礎版在運行《英雄聯盟手游》時，平均溫度僅為32℃左右，表明該芯片在應對常規高畫質游戲時表現輕松。
在更高負載的測試中，溫控表現依然穩定。使用Galaxy S26+運行《原神》超過15分鐘后，機身正面最高溫度約為38℃，背面溫度則穩定在37℃至37.5℃之間。這一結果說明，即使面對長時間的高強度游戲，手機也能保持較低的溫度水平。
隨后，在運行《崩壞》時，盡管游戲幀率偶爾出現波動，但機身正面最高溫度僅達到39℃，背面最高溫度略超38℃。這一表現進一步證明了Exynos 2600芯片在散熱方面的優化效果。
Long Ngong指出，三星Galaxy S26/S26+之所以能實現出色的溫控表現，主要得益于三項關鍵技術的應用。首先，Exynos 2600首次采用了三星2nm GAA（全環繞柵極）工藝。這種3D晶體管架構通過垂直堆疊的納米片讓柵極完全包圍溝道，從而提升了靜電控制能力和整體能效，為芯片的穩定運行提供了基礎。
其次，該芯片應用了FOWLP（扇出型晶圓級封裝）技術。通過晶圓級方法取代傳統基板，將輸入/輸出端子直接集成在硅晶圓上，打造出更薄、更高效的芯片形態，有助于減少熱量積聚。最后，Exynos 2600引入了創新的HPB（熱傳導塊）技術。該技術采用與應用處理器（AP）直接接觸的銅基散熱器，同時將DRAM移至側面，從而將熱阻改善了高達30%，有效提升了散熱效率。
