越南知名視頻賬號@V?t V? Studio（直譯：流浪工作室）近日發(fā)布了一段深度測評視頻，內(nèi)容圍繞三星最新發(fā)布的Galaxy S26系列手機展開。該工作室宣稱已購得Galaxy S26基礎(chǔ)版與S26+兩款機型，并針對其基礎(chǔ)性能及芯片溫控表現(xiàn)進(jìn)行了全面測試。
在性能測試環(huán)節(jié)，工作室首先使用了安兔兔Benchmark進(jìn)行跑分。結(jié)果顯示，Galaxy S26得分305萬，而S26+則獲得302萬。值得注意的是，S26+在跑分過程中顯示為“S26 Edge”，這一異常現(xiàn)象引發(fā)了觀眾的好奇與討論。隨后，在3DMark測試中，S26再次展現(xiàn)出略高于S26+的性能表現(xiàn)。而在CPU降頻測試中，兩款手機在15分鐘的持續(xù)運行后，性能均回落至初始水平的60%至80%區(qū)間。
針對用戶普遍關(guān)注的發(fā)熱問題，工作室進(jìn)行了嚴(yán)苛的測試。在約26℃的環(huán)境下，兩款手機以最高畫質(zhì)連續(xù)運行《英雄聯(lián)盟》《原神》《崩壞：星穹鐵道》三款高負(fù)載游戲。測試數(shù)據(jù)顯示，Galaxy S26在《英雄聯(lián)盟》中的平均溫度僅為32℃；S26+在《原神》中運行超過15分鐘后，正面最高溫度約38℃，背面溫度在37℃至37.5℃之間波動；而在《崩壞》中，盡管S26+出現(xiàn)幀率短暫下降的情況，但其正面與背面最高溫度分別控制在39℃與38℃。
工作室分析認(rèn)為，三星Exynos 2600芯片的優(yōu)異表現(xiàn)得益于三大技術(shù)突破：其一，2nm GAA工藝顯著提升了靜電控制能力與整體能效；其二，F(xiàn)OWLP（扇出型晶圓級封裝）技術(shù)使芯片厚度降低，運行效率提升；其三，創(chuàng)新的HPB（阻熱塊）技術(shù)將芯片熱阻改善了30%，從而有效控制了發(fā)熱。然而，部分網(wǎng)友對測試結(jié)果持保留態(tài)度，指出三星過往處理器表現(xiàn)欠佳，單次測試難以完全扭轉(zhuǎn)口碑，需待產(chǎn)品大規(guī)模上市后進(jìn)一步驗證。
