3月9日消息，全球存儲芯片的供應(yīng)短缺正導(dǎo)致價格持續(xù)飆升。雖然這迫使智能手機和個人電腦等消費類電子產(chǎn)品不得不隨之漲價，但英偉達創(chuàng)始人黃仁勛對此卻表現(xiàn)出了積極的態(tài)度。

黃仁勛在近期接受采訪時坦言，存儲市場的供應(yīng)短缺對英偉達而言其實是個極好的消息。這種情況會促使客戶在面臨資源限制時，更傾向于直接選擇性能最強的技術(shù)解決方案。

他甚至公開向各大存儲廠商喊話，表示無論廠商能擴充多少產(chǎn)能，英偉達都會全盤接收并投入使用。這種強勁的需求表態(tài)，不僅展示了英偉達的財大氣粗，也為整個存儲產(chǎn)業(yè)的景氣度提供了強力背書。

業(yè)界普遍認為，英偉達之所以無視漲價瘋狂掃貨，主要是在為即將問世的最新Vera Rubin平臺預(yù)做準(zhǔn)備。新一代AI芯片方案對存儲容量的需求量正呈現(xiàn)出幾何倍數(shù)的增長。

以目前的GB300芯片為例，其搭載的高頻寬存儲HBM容量已經(jīng)高達288GB，相比之前GB200的192GB有了顯著提升。。

隨著英偉達AI平臺邁向下一代Vera Rubin架構(gòu)，雖然容量維持在288GB，但技術(shù)規(guī)格將推進到HBM4。這一代技術(shù)采用了16層堆疊設(shè)計，工藝復(fù)雜程度遠超現(xiàn)有HBM3E的12層堆疊。

由于16層堆疊的產(chǎn)能耗損率更高，生產(chǎn)同樣的容量需要消耗更多的原始存儲資源。這將進一步加劇全球DRAM供應(yīng)短缺的嚴峻形勢，讓原本就緊俏的市場供應(yīng)雪上加霜。

目前，全球三大DRAM巨頭三星、SK海力士及美光雖然都在積極擴產(chǎn)，但新增產(chǎn)能主要聚焦在利潤更高的HBM及企業(yè)級產(chǎn)品上。這意味著消費級存儲市場的困局在短期內(nèi)依然難以改觀。

行業(yè)專家指出，至少在未來一年內(nèi)，普通消費者面臨的存儲短缺問題依然無解。隨著數(shù)據(jù)中心對高性能存儲需求的持續(xù)膨脹，新一代DDR6以及移動端的LPDDR5等產(chǎn)品價格預(yù)計將持續(xù)走高。