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3月17日消息，三星電子在NVIDIA GTC 2026大會(huì)上發(fā)布新一代高帶寬內(nèi)存HBM4E，并集中展示面向人工智能計(jì)算的多項(xiàng)芯片與系統(tǒng)方案，凸顯其與NVIDIA在AI基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的合作持續(xù)深化。

HBM4E作為HBM4的后續(xù)產(chǎn)品，此次首次公開(kāi)亮相，定位下一代AI數(shù)據(jù)中心。三星表示，該芯片單引腳速度最高可達(dá)16Gbps，總帶寬達(dá)到4TB/s，面向?qū)?nèi)存性能要求大幅提升的AI訓(xùn)練與推理場(chǎng)景。同時(shí)，公司第六代HBM4已進(jìn)入量產(chǎn)階段，采用10納米級(jí)DRAM工藝，基礎(chǔ)速度為11.7Gbps，并可提升至13Gbps，主要用于英偉達(dá)下一代Vera Rubin平臺(tái)。

在大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，黃仁勛亦提及雙方合作進(jìn)展，指出三星晶圓代工業(yè)務(wù)正在為其生產(chǎn)用于AI推理的Groq 3語(yǔ)言處理單元（LPU）芯片，并預(yù)計(jì)將于今年下半年出貨。這一表態(tài)被視為雙方合作從存儲(chǔ)領(lǐng)域延伸至芯片制造的重要信號(hào)。

除高帶寬內(nèi)存外，三星還展示了覆蓋AI基礎(chǔ)設(shè)施的多類(lèi)關(guān)鍵組件，包括SOCAMM2服務(wù)器模塊及PM1763 SSD等。其中，SOCAMM2基于低功耗DRAM設(shè)計(jì)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段，強(qiáng)調(diào)高帶寬與靈活集成能力；PM1763則面向AI存儲(chǔ)場(chǎng)景，支持更高數(shù)據(jù)傳輸速率與容量需求。

在終端側(cè)，三星亦展出多款面向設(shè)備端AI的存儲(chǔ)與內(nèi)存產(chǎn)品，包括PM9E3、PM9E1 NAND，以及LPDDR5X與LPDDR6移動(dòng)內(nèi)存。其中，LPDDR5X單引腳速度最高達(dá)25Gbps，而LPDDR6目標(biāo)提升至35Gbps，并進(jìn)一步優(yōu)化能效表現(xiàn)。

三星還強(qiáng)調(diào)其與英偉達(dá)在“AI工廠”方向的合作，通過(guò)加速計(jì)算與Omniverse平臺(tái)推動(dòng)半導(dǎo)體制造中的數(shù)字孿生應(yīng)用，提升生產(chǎn)效率與自動(dòng)化水平。（AI普瑞斯編譯）