半導體行業正迎來新一輪競爭格局變化，三星電子在先進制程領域的突破引發市場高度關注。據產業分析師透露，三星位于美國得克薩斯州泰勒的芯片工廠已投入超過370億美元建設資金，其2納米GAA（環繞柵極）工藝良率近期呈現穩定態勢，這為該公司在晶圓代工市場爭奪份額提供了關鍵支撐。
消息人士指出，三星計劃于今年3月啟動泰勒工廠的極紫外光刻（EUV）設備測試運行，該產線將實現從4納米到2納米GAA工藝的跨越式升級。這項技術突破恰逢臺積電產能逼近極限，包括高通在內的多家芯片設計企業正將三星列為潛在替代方案。值得關注的是，高通與三星在先進制程領域的合作并非首次——此前驍龍888和驍龍8 Gen1均由三星代工，后因發熱問題轉投臺積電4納米工藝。
行業動態顯示，成本控制正成為芯片設計企業選擇代工廠的核心考量因素。據供應鏈爆料，高通為降低代工成本，計劃將部分驍龍8系旗艦芯片交由三星生產。具體方案顯示，即將發布的驍龍8 Elite Gen6系列中，標準版將采用三星2納米GAA工藝，而Pro版繼續使用臺積電N2P工藝；2025年推出的驍龍8 Elite Gen7系列則可能全部由三星代工。
技術層面，三星2納米GAA工藝通過改進晶體管結構，在性能提升和功耗控制方面取得突破。產業觀察家認為，若三星能持續穩定良率表現，其代工報價較臺積電低15%-20%的優勢將形成顯著競爭力。目前AMD已確認將部分芯片訂單轉向三星，隨著高通可能回歸，三星晶圓代工業務有望在2026年實現扭虧為盈。
這場制程工藝競賽正重塑全球半導體產業鏈格局。臺積電雖仍占據高端市場主導地位，但三星通過技術迭代和產能擴張形成的"雙線作戰"能力，已對現有市場格局構成實質性挑戰。隨著2納米節點競爭進入白熱化階段，芯片設計企業將在技術性能、制造成本和供應鏈安全之間尋求新的平衡點。
