全球存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域迎來(lái)重大突破，三星電子成功實(shí)現(xiàn)HBM4高帶寬存儲(chǔ)芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，并計(jì)劃在本月下旬向英偉達(dá)（NVIDIA）正式批量交付。這一進(jìn)展標(biāo)志著HBM4芯片首次進(jìn)入全球市場(chǎng)，為下一代人工智能計(jì)算平臺(tái)的發(fā)展注入關(guān)鍵動(dòng)力。

據(jù)行業(yè)消息，三星電子已全面完成英偉達(dá)對(duì)HBM4芯片的認(rèn)證流程，交付時(shí)間與英偉達(dá)新一代人工智能加速器的發(fā)布計(jì)劃高度契合。其中，備受關(guān)注的Vera Rubin平臺(tái)將率先搭載這款芯片。英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛此前在CES 2026展會(huì)上宣布，Vera Rubin平臺(tái)已進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)2026年下半年正式推向市場(chǎng)，而三星HBM4的及時(shí)供應(yīng)為其商業(yè)化落地提供了重要保障。

三星此次量產(chǎn)的HBM4芯片在性能上實(shí)現(xiàn)顯著躍升。工藝層面，DRAM單元采用第六代10nm級(jí)（1c工藝）技術(shù)，基板芯片則運(yùn)用4nm代工廠工藝，這種組合使芯片性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。數(shù)據(jù)顯示，其數(shù)據(jù)處理速度達(dá)11.7Gbps，較行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC設(shè)定的8Gbps提升約37%，相比上一代HBM3E的9.6Gbps提高22%；單堆棧存儲(chǔ)帶寬達(dá)3TB/s，是前代產(chǎn)品的2.4倍。容量方面，12層堆疊技術(shù)可提供36GB存儲(chǔ)，未來(lái)升級(jí)至16層堆疊后，容量將擴(kuò)展至48GB。

英偉達(dá)計(jì)劃在3月16日至19日舉辦的GTC 2026大會(huì)上，首次公開(kāi)展示搭載三星HBM4芯片的Vera Rubin平臺(tái)。這一動(dòng)作被視為人工智能硬件領(lǐng)域的重要里程碑，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，HBM4的加入將顯著提升平臺(tái)的計(jì)算效率，滿足大規(guī)模AI模型訓(xùn)練和實(shí)時(shí)推理的需求。

作為專為AI加速器和高性能計(jì)算設(shè)備設(shè)計(jì)的高端存儲(chǔ)芯片，HBM（高帶寬存儲(chǔ)）的核心價(jià)值在于解決算力提升帶來(lái)的內(nèi)存帶寬瓶頸問(wèn)題。隨著AI大模型訓(xùn)練、自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域的快速發(fā)展，全球?qū)BM芯片的需求持續(xù)激增。三星HBM4的量產(chǎn)不僅推動(dòng)了存儲(chǔ)技術(shù)的迭代升級(jí)，更為下一代AI計(jì)算平臺(tái)的性能突破提供了硬件支撐，有望重塑全球人工智能硬件市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。