三星電子近日宣布，其最新一代HBM4內存已正式進入量產階段，并向全球客戶交付商用產品。這一舉措使三星成為全球首家實現HBM4商業化供應的企業，標志著高帶寬內存技術邁入全新發展階段。

據官方技術資料顯示，HBM4采用第六代10nm級DRAM工藝（1c）與4nm邏輯制程的融合方案。這種跨代工藝組合使產品在量產初期即實現穩定良率，同時保持行業領先性能指標。三星存儲開發負責人黃相俊強調，該設計突破傳統迭代路徑，通過架構優化為未來性能升級預留充足空間，可靈活應對人工智能等前沿領域不斷增長的計算需求。

性能參數方面，HBM4展現出顯著優勢。其穩定傳輸速率達11.7Gbps，較行業主流8Gbps標準提升46%，較前代HBM3E的9.6Gbps提高22%。在峰值性能模式下，數據傳輸速率可擴展至13Gbps，有效緩解AI大模型訓練中的數據吞吐瓶頸。單堆棧內存帶寬突破3.3TB/s，是HBM3E的3.7倍，為高密度計算提供堅實支撐。

在容量擴展方面，三星采用12層堆疊技術實現24GB至36GB的規格覆蓋，并計劃通過16層堆疊將容量提升至48GB。這種漸進式擴容策略既滿足當前市場需求，又為未來技術演進預留空間。針對I/O引腳數量翻倍帶來的功耗挑戰，研發團隊通過低電壓TSV互連技術和電源分配網絡優化，使功耗效率提升40%，熱阻增加10%，散熱性能改善30%，顯著降低數據中心運營成本。

制造保障層面，三星將依托現有DRAM產能和專用生產線，構建穩定的供應鏈體系。市場拓展方面，公司計劃深化與全球GPU制造商及超大規模數據中心的合作，重點推進下一代ASIC芯片的聯合開發。根據業務規劃，2026年HBM系列產品銷售額將較2025年增長超300%，為此三星將加速擴充HBM4產能，并預計在2026年下半年啟動HBM4E樣品送測，2027年按客戶定制規格交付專用HBM產品。

這項技術突破對數據中心領域具有重要價值。通過提升GPU吞吐能力并優化總體擁有成本，HBM4將助力客戶構建更高效的人工智能基礎設施。三星存儲業務負責人表示，公司將持續投入先進制程研發，鞏固在高端內存市場的技術領導地位。