北京大學(xué)電子學(xué)院邱晨光-彭練矛團隊在非易失性存儲器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破，首次提出“納米柵超低功耗鐵電晶體管”創(chuàng)新架構(gòu)，成功攻克超低電壓下數(shù)據(jù)高效存儲難題。相關(guān)研究成果已發(fā)表于國際權(quán)威期刊《科學(xué)·進展》，標(biāo)志著我國在新型存儲芯片技術(shù)領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

鐵電晶體管作為后摩爾時代極具潛力的存儲技術(shù)，通過鐵電材料極化方向的變化實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，被視為破解“存儲墻”困境和推動人工智能底層架構(gòu)革新的核心方向。研究團隊通過創(chuàng)新器件結(jié)構(gòu)設(shè)計，引入納米柵極電場匯聚增強效應(yīng)，成功研制出可在0.6伏超低電壓下穩(wěn)定工作的鐵電晶體管，其能耗指標(biāo)降至0.45飛焦每微米，較傳統(tǒng)技術(shù)降低兩個數(shù)量級。

該器件物理柵長突破性縮減至1納米極限，創(chuàng)下國際同類器件最小尺寸紀錄。這一突破不僅為構(gòu)建亞1納米節(jié)點高性能芯片提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐，更為高算力AI芯片架構(gòu)開辟了新型物理機制存儲器件的研發(fā)路徑。研究證實，納米柵極電場增強效應(yīng)具有普適性，可推廣至多種鐵電材料體系，為后續(xù)技術(shù)迭代奠定理論基礎(chǔ)。

技術(shù)轉(zhuǎn)化方面，研究團隊已率先申請涵蓋NAND結(jié)構(gòu)兼容與嵌入式SOC架構(gòu)的專利組合，形成包含三項中國專利（202511671105.4 / 202511672017.6 / 202511674034.3）的完整知識產(chǎn)權(quán)體系。該技術(shù)通過原子層沉積等標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝即可實現(xiàn)，為開發(fā)業(yè)界兼容的超低功耗鐵電存儲芯片提供了可行方案，有望助力我國突破國外在新型存儲領(lǐng)域的技術(shù)封鎖。