阿斯麥（ASML）近日宣布在芯片制造設(shè)備光源功率提升領(lǐng)域取得重大突破，其研究人員成功找到將關(guān)鍵設(shè)備光源功率從現(xiàn)有600瓦提升至1000瓦的技術(shù)路徑。這項(xiàng)技術(shù)革新預(yù)計(jì)到2030年可使芯片產(chǎn)量提高50%，同時(shí)顯著降低單顆芯片制造成本。公司極紫外（EUV）光源首席技術(shù)官邁克爾·珀維斯強(qiáng)調(diào)，該系統(tǒng)已通過(guò)實(shí)際生產(chǎn)環(huán)境驗(yàn)證，能在客戶要求的嚴(yán)苛條件下穩(wěn)定輸出千瓦級(jí)功率。

技術(shù)核心在于對(duì)光刻機(jī)中復(fù)雜度最高的錫滴發(fā)生器進(jìn)行改良。當(dāng)前設(shè)備通過(guò)單次激光脈沖將錫滴加熱成等離子體以產(chǎn)生極紫外光，而新系統(tǒng)將錫滴發(fā)射頻率翻倍至每秒10萬(wàn)次，并采用兩次小型激光脈沖進(jìn)行精準(zhǔn)塑形。這種創(chuàng)新工藝使等離子體生成效率大幅提升，為功率躍升奠定基礎(chǔ)。珀維斯指出，該技術(shù)涉及納米級(jí)精度控制，需要整合激光技術(shù)、等離子體物理和先進(jìn)材料科學(xué)等多領(lǐng)域成果。

產(chǎn)量提升效果顯著。據(jù)NXE系列EUV光刻機(jī)業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁滕·梵高透露，升級(jí)后的設(shè)備每小時(shí)晶圓處理能力將從目前的220片增至330片。以12英寸晶圓為例，每片可產(chǎn)出數(shù)百至數(shù)千顆芯片，具體數(shù)量取決于芯片尺寸。這意味著在相同時(shí)間內(nèi)，芯片工廠的產(chǎn)能將提升近50%，而更短的曝光時(shí)間直接降低了生產(chǎn)成本。

這項(xiàng)突破使阿斯麥在技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中進(jìn)一步擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。EUV光刻機(jī)作為7納米及以下先進(jìn)制程的核心設(shè)備，其光源功率直接決定生產(chǎn)效率和經(jīng)濟(jì)效益。公司研究人員已規(guī)劃更長(zhǎng)遠(yuǎn)的技術(shù)路線，珀維斯表示："千瓦級(jí)系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)證明了技術(shù)可行性，我們已看到通往1500瓦的清晰路徑，理論上突破2000瓦也不存在根本性障礙。"

技術(shù)升級(jí)的背后是跨學(xué)科協(xié)同創(chuàng)新。錫滴發(fā)生器的改良涉及精密機(jī)械控制、高功率激光調(diào)制和等離子體約束等多重挑戰(zhàn)。研究人員通過(guò)優(yōu)化激光脈沖時(shí)序和錫滴軌跡算法，成功解決了納米級(jí)精度下的能量傳輸問(wèn)題。這種系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新不僅提升了設(shè)備性能，也為未來(lái)更先進(jìn)制程的研發(fā)積累了技術(shù)儲(chǔ)備。