據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息，三星電子在1c DRAM生產(chǎn)領(lǐng)域取得重大突破，其高溫環(huán)境下的良率已攀升至80%。這一數(shù)據(jù)較2025年第四季度60-70%的良率水平實現(xiàn)顯著提升，公司內(nèi)部預(yù)計5月前后可進一步突破至90%。該進展標志著三星在先進存儲芯片制造工藝上邁出關(guān)鍵一步。

消息人士透露，三星電子針對1c DRAM的熱測試環(huán)節(jié)進行了系統(tǒng)性優(yōu)化，通過改進材料配方與工藝參數(shù)，成功解決了高溫環(huán)境下晶體管穩(wěn)定性等核心問題。此前該產(chǎn)品在極端溫度條件下的良率波動曾制約產(chǎn)能爬坡，此次技術(shù)突破為后續(xù)大規(guī)模量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

在衍生產(chǎn)品領(lǐng)域，基于1c DRAM架構(gòu)的HBM4內(nèi)存同樣傳來積極信號。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，該產(chǎn)品的良率已從去年第四季度的50%提升至近60%，雖然仍低于行業(yè)平均水平，但改進速度超出市場預(yù)期。HBM4作為新一代高帶寬內(nèi)存，其良率提升將直接影響人工智能訓(xùn)練等高性能計算場景的供貨能力。

業(yè)內(nèi)分析認為，三星電子近期在存儲芯片領(lǐng)域的連番突破，與其持續(xù)加大的研發(fā)投入密切相關(guān)。據(jù)公開資料顯示，該公司2025年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)研發(fā)預(yù)算同比增加23%，重點投向極紫外光刻（EUV）工藝優(yōu)化與新型材料應(yīng)用。隨著1c DRAM良率持續(xù)改善，三星有望在高端存儲市場重新奪回技術(shù)主動權(quán)。