美光科技在近期舉行的FY2026Q2財報會議上透露，其正在研發基于1γ（第六代10nm級）工藝的DRAM芯片，用于下一代HBM4E內存產品。這款預計2027年量產的新品將實現制程升級，相比現有的HBM4技術更具競爭力。公司表示，新工藝將顯著提升內存帶寬和能效比，滿足人工智能、高性能計算等領域對存儲性能的嚴苛需求。
在先進制程布局方面，美光確認將引入第七代10nm級工藝1δ（1-delta）。該技術節點將大幅增加極紫外光刻（EUV）的使用比例，為此公司計劃采購最新一代High NA EUV光刻設備。這項投資不僅能優化晶圓廠潔凈室的空間利用率，還將提升芯片圖案的制造精度，為后續3D堆疊存儲器的研發奠定基礎。
商業合作模式轉型成為另一焦點。美光正將傳統長期協議升級為戰略客戶協議（SCA），首份五年期合作框架已正式簽署。這種新型合作方式通過明確多年度供應承諾，既保障了公司營收的穩定性，也為關鍵客戶提供了產能保障。業內人士分析，此舉有助于美光在存儲芯片周期波動中維持競爭優勢。
針對市場供需預測，美光預計2026年全球DRAM和NAND閃存供應量將增長約20%，但同期PC和智能手機出貨量可能出現超過10%的下滑。為應對這種結構性變化，公司已上調本財年資本支出計劃，重點投向晶圓廠潔凈室擴建項目。這筆投資將主要用于提升1γ和1δ工藝的量產能力，確保新技術節點按時進入規模生產階段。
