據(jù)行業(yè)媒體集邦咨詢Trendforce最新披露，英偉達(dá)對(duì)其下一代人工智能芯片Rubin Ultra的設(shè)計(jì)方案作出重大調(diào)整，放棄此前規(guī)劃的4-Die集成架構(gòu)，轉(zhuǎn)而采用技術(shù)更為成熟的2-Die雙芯方案。這一變動(dòng)預(yù)計(jì)將使該芯片的量產(chǎn)時(shí)間推遲至2027年，同時(shí)對(duì)臺(tái)積電的先進(jìn)制程產(chǎn)能分配產(chǎn)生連鎖反應(yīng)。

技術(shù)層面，Die（裸片）作為芯片的核心功能單元，其集成數(shù)量直接影響芯片性能與制造成本。原4-Die方案雖能提升計(jì)算密度，但會(huì)導(dǎo)致封裝尺寸突破現(xiàn)有光罩極限的8倍，引發(fā)良率驟降與成本飆升。行業(yè)專(zhuān)家指出，當(dāng)芯片面積超過(guò)光罩極限的4倍時(shí)，制造過(guò)程中需采用多重曝光技術(shù)，這將使良率損失呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。英偉達(dá)最終選擇回歸2-Die架構(gòu)，正是基于對(duì)量產(chǎn)可行性與經(jīng)濟(jì)性的綜合考量。

在制造工藝上，Rubin Ultra將采用臺(tái)積電最新的N3P制程節(jié)點(diǎn)，并搭配CoWoS-L先進(jìn)封裝技術(shù)。盡管設(shè)計(jì)調(diào)整導(dǎo)致量產(chǎn)周期延長(zhǎng)，但英偉達(dá)并未削減對(duì)臺(tái)積電的晶圓代工訂單，而是將產(chǎn)能分配向現(xiàn)有Blackwell架構(gòu)產(chǎn)品傾斜。這種策略性調(diào)整反映出，在人工智能芯片需求持續(xù)井噴的背景下，廠商更傾向于優(yōu)先保障成熟產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)。

臺(tái)積電3納米制程的產(chǎn)能緊張態(tài)勢(shì)進(jìn)一步印證了這一趨勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示，2025年人工智能芯片僅占臺(tái)積電3納米產(chǎn)能的5%，但到2026年這一比例將躍升至36%。這種爆發(fā)式增長(zhǎng)主要源于大語(yǔ)言模型訓(xùn)練對(duì)算力的指數(shù)級(jí)需求，以及自動(dòng)駕駛、智能醫(yī)療等新興領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒囊蕾嚒Ｓミ_(dá)作為全球AI芯片龍頭，其產(chǎn)品路線圖的調(diào)整無(wú)疑將對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)能規(guī)劃產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

值得關(guān)注的是，此次架構(gòu)調(diào)整并非英偉達(dá)首次在先進(jìn)封裝領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn)。此前其Hopper架構(gòu)芯片就曾因CoWoS封裝產(chǎn)能不足導(dǎo)致交付延遲，迫使公司緊急增加臺(tái)積電以外的封裝供應(yīng)商。隨著芯片集成度不斷提升，物理極限與制造成本的矛盾將愈發(fā)突出，如何平衡性能創(chuàng)新與量產(chǎn)效率，已成為AI芯片廠商面臨的核心課題。