格隆匯4月3日|據(jù)IT之家,科技媒體今天發(fā)布博文,報(bào)道稱南加州大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)新型存儲(chǔ)芯片,可在700°C高溫下穩(wěn)定運(yùn)行,且未出現(xiàn)性能退化跡象。據(jù)介紹,傳統(tǒng)芯片在200°C左右便會(huì)失效,而南加州大學(xué)維特比工程學(xué)院的研究團(tuán)隊(duì)所研發(fā)的電子存儲(chǔ)器件,能在700°C高溫下依然保持穩(wěn)定,這個(gè)溫度相當(dāng)于熔巖(約700~1200°C),且未出現(xiàn)性能退化跡象。
這項(xiàng)突破的核心在于一種名為“憶阻器”的納米級(jí)元件,兼具數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理功能,此外團(tuán)隊(duì)采用了獨(dú)特的“三明治”結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì):頂層是高熔點(diǎn)的鎢,中間是作為陶瓷絕緣體的氧化鉿,底層則是單原子層石墨烯。這種材料組合有效防止了高溫下金屬原子遷移導(dǎo)致的短路問(wèn)題。實(shí)驗(yàn)顯示,該器件在700°C下無(wú)需刷新即可保持?jǐn)?shù)據(jù)超過(guò)50小時(shí),耐受超過(guò)10億次開關(guān)操作,且僅需1.5伏電壓即可在納秒級(jí)速度下運(yùn)行。
這項(xiàng)突破的核心在于一種名為“憶阻器”的納米級(jí)元件,兼具數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理功能,此外團(tuán)隊(duì)采用了獨(dú)特的“三明治”結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì):頂層是高熔點(diǎn)的鎢,中間是作為陶瓷絕緣體的氧化鉿,底層則是單原子層石墨烯。這種材料組合有效防止了高溫下金屬原子遷移導(dǎo)致的短路問(wèn)題。實(shí)驗(yàn)顯示,該器件在700°C下無(wú)需刷新即可保持?jǐn)?shù)據(jù)超過(guò)50小時(shí),耐受超過(guò)10億次開關(guān)操作,且僅需1.5伏電壓即可在納秒級(jí)速度下運(yùn)行。











