據行業分析機構SemiAnalysis發布的最新報告，在下一代高帶寬內存（HBM4）市場競爭中，韓系廠商SK海力士與三星已占據絕對優勢，而美光科技因技術路線選擇失誤，可能徹底失去英偉達Rubin芯片的訂單，市場份額或將歸零。
報告顯示，英偉達Rubin平臺的HBM4供應格局已基本確定：SK海力士預計獲得約70%的訂單，三星則拿下剩余30%，兩家韓企將完全壟斷這一高端市場。這一結果與美光此前在HBM3市場的表現形成鮮明對比，其技術路線風險成為主要敗因。
美光堅持自主設計制造HBM4基礎裸片（Base Die），試圖通過垂直整合降低成本并掌控供應鏈。然而，這種"單打獨斗"模式導致產品出現嚴重散熱問題，且引腳速度（Pin Speeds）未能達到英偉達標準。與選擇臺積電合作的SK海力士、擁有自家邏輯代工能力的三星相比，美光在關鍵性能指標上逐漸落后。
時間因素進一步加劇了美光的困境。英偉達Vera Rubin芯片已進入全速生產階段，供應鏈名單基本鎖定。盡管美光計劃在2026年第二季度重新提交優化后的設計進行資格測試，但已錯過最佳合作窗口期。分析人士指出，芯片廠商與內存供應商的協同開發通常需要提前18-24個月啟動。
三星則成為最大受益者之一。該公司率先解決了HBM4的引腳速度難題，成功擺脫HBM3時代的交付延誤陰影。市場預計其市場份額將穩定在20%-30%區間，與SK海力士形成雙雄格局。這場競爭再次證明，在先進制程領域，單一企業的技術閉環難以匹敵產業鏈協同優勢。
