英偉達(dá)創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛近日在媒體訪談中透露，即將于3月中旬舉辦的GTC 2026大會上，公司將發(fā)布多款“全球首見”的全新芯片。他坦言，當(dāng)前芯片研發(fā)正面臨物理規(guī)律、制造工藝與架構(gòu)設(shè)計的多重極限，但英偉達(dá)團(tuán)隊仍致力于突破技術(shù)邊界，推出顛覆性算力產(chǎn)品。

黃仁勛強調(diào)，英偉達(dá)的核心競爭力不僅源于自主研發(fā)能力，更依托于覆蓋全技術(shù)棧的生態(tài)協(xié)同體系。公司在人工智能基礎(chǔ)層持續(xù)深耕，與能源、半導(dǎo)體制造、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施、云計算平臺及上層應(yīng)用開發(fā)等領(lǐng)域的合作伙伴構(gòu)建了緊密網(wǎng)絡(luò)。他指出，人工智能并非單一技術(shù)模型，而是一個融合硬件、軟件與垂直場景的完整產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

關(guān)于即將發(fā)布的新品，黃仁勛雖未透露具體型號，但外界普遍猜測可能來自兩大芯片系列。其一為Rubin架構(gòu)衍生款，該系列曾在2026年CES大會上亮相，包含6款全新設(shè)計芯片且已實現(xiàn)量產(chǎn)；其二為下一代Feynman架構(gòu)，該系列預(yù)計在SRAM集成、3D堆疊、近存計算及能效比等方面實現(xiàn)跨代提升，主要面向大模型訓(xùn)練與超算場景，但具體技術(shù)細(xì)節(jié)尚未公開。

當(dāng)前，半導(dǎo)體行業(yè)已步入“后摩爾時代”，工藝節(jié)點逼近1納米極限，量子隧穿效應(yīng)、功耗密度及互聯(lián)帶寬等問題成為普遍挑戰(zhàn)。黃仁勛的表態(tài)暗示，英偉達(dá)將通過架構(gòu)創(chuàng)新、封裝技術(shù)升級及系統(tǒng)級整合，替代傳統(tǒng)工藝縮微路徑，持續(xù)引領(lǐng)AI算力賽道發(fā)展。

GTC 2026大會將于3月16日至19日在美國圣何塞舉行，黃仁勛的主題演講定于3月15日。隨著大會臨近，相關(guān)芯片、算力及產(chǎn)業(yè)鏈板塊已引發(fā)市場高度關(guān)注。業(yè)界分析認(rèn)為，新品發(fā)布將直接影響全球AI云服務(wù)、超級計算、自動駕駛及大模型研發(fā)進(jìn)程，進(jìn)一步鞏固英偉達(dá)在AI芯片與算力基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。