隨著年報(bào)披露季的到來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)再次成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。在漲價(jià)潮持續(xù)蔓延的背景下，行業(yè)呈現(xiàn)出收入回暖與利潤(rùn)分化并存的復(fù)雜格局。根據(jù)公開數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，申萬(wàn)半導(dǎo)體板塊173家上市公司中，已有152家完成2025年業(yè)績(jī)預(yù)告或快報(bào)披露，其中超八成企業(yè)營(yíng)業(yè)收入實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng)，但凈利潤(rùn)表現(xiàn)卻呈現(xiàn)明顯兩極分化。

在業(yè)績(jī)向好的陣營(yíng)中，78家企業(yè)實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)增長(zhǎng)，包括64家預(yù)增、13家扭虧和1家續(xù)盈。臻鐳科技以582%的凈利潤(rùn)增幅領(lǐng)跑全行業(yè)，其2025年凈利潤(rùn)達(dá)1.33億元。該公司表示，下游特種行業(yè)需求回暖與衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)拓展是主要推動(dòng)力。佰維存儲(chǔ)緊隨其后，凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)438%至8.67億元，其業(yè)績(jī)反彈折射出存儲(chǔ)行業(yè)周期性變化——在經(jīng)歷2024年價(jià)格持續(xù)下跌后，2025年二季度受AI服務(wù)器需求拉動(dòng)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格觸底回升。德明利同樣實(shí)現(xiàn)逆襲，在前三季度虧損2700萬(wàn)元的情況下，全年凈利潤(rùn)達(dá)6.88億元，主要得益于第四季度存儲(chǔ)價(jià)格上行帶來(lái)的毛利改善。

與之形成鮮明對(duì)比的是，50家企業(yè)出現(xiàn)凈利潤(rùn)虧損，其中8家虧損額超過(guò)5億元。聞泰科技預(yù)計(jì)虧損90億至135億元，創(chuàng)下板塊虧損紀(jì)錄，主要因海外子公司安世半導(dǎo)體控制權(quán)受限導(dǎo)致大額資產(chǎn)減值。國(guó)內(nèi)硅片龍頭滬硅產(chǎn)業(yè)虧損14.76億元，盡管全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI應(yīng)用推動(dòng)下保持增長(zhǎng)，但消費(fèi)電子需求疲軟疊加擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目產(chǎn)能爬坡，導(dǎo)致盈利水平承壓。力合微凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)最高下降80%，主要受智能電網(wǎng)招標(biāo)規(guī)模縮減和非電網(wǎng)領(lǐng)域研發(fā)投入增加影響。

漲價(jià)潮正從存儲(chǔ)芯片向產(chǎn)業(yè)鏈上游蔓延。2026年2月以來(lái)，新潔能、中微半導(dǎo)、國(guó)科微等十余家企業(yè)相繼宣布產(chǎn)品漲價(jià)，漲幅區(qū)間為10%至80%，涉及MCU、功率器件等多個(gè)品類。新潔能明確指出，貴金屬價(jià)格大幅上漲導(dǎo)致晶圓代工及封測(cè)成本激增，公司決定自3月1日起對(duì)MOSFET產(chǎn)品提價(jià)10%以上。據(jù)行業(yè)人士分析，金屬原材料占封裝成本的比重高達(dá)60%-70%，2025年以來(lái)金、銀、銅等期貨價(jià)格漲幅分別超過(guò)50%、150%和50%，直接推高生產(chǎn)成本。

漲價(jià)效應(yīng)已開始影響企業(yè)盈利策略。國(guó)科微在業(yè)績(jī)預(yù)告中坦言，因產(chǎn)品未能同步提價(jià)，原材料成本上升導(dǎo)致毛利率下滑。藍(lán)箭電子雖實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能和出貨量增長(zhǎng)，但受傳統(tǒng)消費(fèi)電子需求復(fù)蘇緩慢和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇影響，產(chǎn)品銷售價(jià)格承壓，疊加原材料價(jià)格上漲，導(dǎo)致毛利率同比下滑。對(duì)于具備議價(jià)能力的企業(yè)而言，漲價(jià)成為改善毛利率的有效手段。華潤(rùn)微自2月1日起對(duì)全系列微電子產(chǎn)品提價(jià)10%，證券部工作人員表示，該漲幅已能覆蓋成本上升影響，目前產(chǎn)能持續(xù)滿載，后續(xù)將根據(jù)原材料價(jià)格動(dòng)態(tài)調(diào)整價(jià)格。

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)表現(xiàn)尤為突出。國(guó)家發(fā)改委價(jià)格監(jiān)測(cè)中心數(shù)據(jù)顯示，2025年9月以來(lái)，受需求爆發(fā)和產(chǎn)能緊張影響，存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)上漲。截至2026年1月，DRAM和NAND閃存價(jià)格均創(chuàng)2016年有數(shù)據(jù)以來(lái)新高。其中，DDR4 8Gb合約價(jià)較上月上漲24%，較2025年9月上漲83%；128Gb NAND閃存合約價(jià)較上月上漲65%，較2025年9月上漲近1.5倍。機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，在AI服務(wù)器算力需求持續(xù)增長(zhǎng)帶動(dòng)下，2026年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供不應(yīng)求局面仍將延續(xù)，價(jià)格漲勢(shì)可能向消費(fèi)電子終端產(chǎn)品傳導(dǎo)。

非存儲(chǔ)領(lǐng)域漲價(jià)趨勢(shì)也在顯現(xiàn)。東海證券研報(bào)指出，全球半導(dǎo)體行業(yè)2025年銷售額創(chuàng)歷史新高，漲價(jià)潮正從存儲(chǔ)芯片向功率、模擬、MCU等領(lǐng)域擴(kuò)散。當(dāng)前AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)仍處于大規(guī)模投入階段，海外四大CSP廠商資本開支同比高增，預(yù)計(jì)未來(lái)算力需求將呈爆發(fā)式增長(zhǎng)，推動(dòng)行業(yè)進(jìn)入結(jié)構(gòu)性高增長(zhǎng)周期。