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三星2030年挑戰1nm量產 攜手臺積電共推芯片制程新突破

   時間:2026-04-03 18:44:16 來源:互聯網編輯:快訊 IP:北京 發表評論無障礙通道
 

全球半導體制造領域的競爭正邁向全新高度。三星電子近日宣布,計劃在2030年前實現1納米制程芯片的量產,成為首家公開1納米技術路線圖的企業。此舉被視為對臺積電行業地位的直接挑戰,雙方在先進制程領域的角逐已進入白熱化階段。

臺積電當前最先進的制程技術已進入埃米尺度,其A14(1.4納米)制程預計于2028年投產。該技術通過提升運算速度與能效比,將重點服務于人工智能領域,有望使智能手機等終端設備具備更強的AI處理能力。公司透露,A14制程的開發進度超出預期,搭載超級電軌技術的升級版本將于2029年面世。

作為臺積電埃米制程的過渡節點,2納米家族中的A16制程計劃于2026年下半年量產。據產業消息,OpenAI自主研發的專用集成電路芯片已由美系企業博通、邁威爾設計,并分別在臺積電3納米和A16制程上完成流片。這顯示出先進制程在AI芯片領域的戰略價值。

三星的1納米制程研發面臨物理極限的突破挑戰。該制程的晶體管密度將達到2納米的兩倍,被業界視為芯片微縮技術的關鍵轉折點。為實現這一目標,三星將采用創新的"叉型片"結構替代現有的環繞式閘極架構,通過在納米片間植入絕緣層來提升密度,同時優化功耗表現。

人工智能需求爆發推動三星加大投資力度。2025年其半導體業務研發及資本支出達90.4兆韓元,2026年將再增22%。這筆資金除用于1納米研發外,還將強化高頻寬存儲器等新興領域的布局,試圖在AI芯片供應鏈中占據更有利位置。

在追趕先進制程的同時,三星持續優化現有技術。針對特斯拉下一代AI芯片AI6開發的2納米定制制程"SF2T"已進入量產準備階段,預計2027年在德州新廠投產。這種差異化策略顯示出三星通過特定領域突破來爭奪高端客戶的戰略意圖。

行業分析師指出,1納米制程的量產不僅需要突破材料科學極限,更考驗企業的全產業鏈協同能力。從光刻機適配到封裝測試,每個環節的技術突破都將決定最終成敗。三星與臺積電的技術競賽,正在重塑全球半導體產業的競爭格局。

 
 
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