在人工智能技術(shù)快速發(fā)展的背景下，全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷新一輪技術(shù)變革。據(jù)行業(yè)分析機(jī)構(gòu)披露，主要存儲(chǔ)廠商對(duì)NAND閃存產(chǎn)能擴(kuò)張持審慎態(tài)度，同時(shí)加速淘汰MLC等傳統(tǒng)產(chǎn)品架構(gòu)。SK海力士于近期公布的5-Bit NAND技術(shù)引發(fā)業(yè)界關(guān)注，該技術(shù)通過架構(gòu)創(chuàng)新使讀取速度達(dá)到傳統(tǒng)PLC閃存的20倍。

這項(xiàng)突破性技術(shù)采用Multi-Site Cell（MSC）架構(gòu)設(shè)計(jì)，將每個(gè)3D NAND存儲(chǔ)單元垂直分割為兩個(gè)獨(dú)立存儲(chǔ)區(qū)域。這種創(chuàng)新方案在提升數(shù)據(jù)密度的同時(shí)，將單元工作電壓降低至原有方案的三分之一。通過電壓優(yōu)化設(shè)計(jì)，單個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)容量實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍，為高密度存儲(chǔ)設(shè)備開發(fā)開辟新路徑。

技術(shù)團(tuán)隊(duì)在研發(fā)過程中攻克了關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。通過集成4D 2.0技術(shù)體系，成功突破傳統(tǒng)存儲(chǔ)單元超過4bit后必然面臨的電壓狀態(tài)限制。這項(xiàng)創(chuàng)新使得5bit存儲(chǔ)單元在保持高速讀寫性能的同時(shí)，維持了與現(xiàn)有產(chǎn)品相當(dāng)?shù)哪途眯灾笜?biāo)，解決了高密度存儲(chǔ)領(lǐng)域長(zhǎng)期存在的技術(shù)矛盾。

針對(duì)QLC架構(gòu)存在的可靠性短板，研發(fā)團(tuán)隊(duì)采用雙獨(dú)立存儲(chǔ)區(qū)（Dual-Site）設(shè)計(jì)。每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)采用更低工作電壓，既延長(zhǎng)了器件使用壽命，又提升了整體存儲(chǔ)密度。這種創(chuàng)新架構(gòu)使單個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)效率提升近一倍，有效彌補(bǔ)了傳統(tǒng)QLC技術(shù)的性能缺陷。

實(shí)際應(yīng)用測(cè)試顯示，該技術(shù)可帶來顯著的存儲(chǔ)容量提升。采用新架構(gòu)的NAND存儲(chǔ)芯片單Die容量增加25%，由此制成的固態(tài)硬盤產(chǎn)品整體存儲(chǔ)空間同步增長(zhǎng)四分之一。這項(xiàng)突破為數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算等大容量存儲(chǔ)場(chǎng)景提供了新的技術(shù)解決方案，有望推動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備向更高密度、更低能耗方向發(fā)展。