隨著人工智能推理需求的爆發式增長，NAND閃存市場正經歷一場深刻變革。摩根大通亞太區科技研究團隊最新發布的研報指出，AI工作負載從訓練向推理階段轉移，正推動NAND行業進入一個由企業級固態硬盤（eSSD）驅動的全新增長周期。這種結構性轉變不僅打破了NAND行業長期被視為強周期性大宗商品的宿命，更使其成為AI基礎設施建設的核心資產。

傳統NAND市場增長主要依賴智能手機和PC出貨量驅動，但本輪周期的核心驅動力已轉向企業級存儲需求。摩根大通數據顯示，2024年eSSD比特出貨量同比增長86%，增速創2012年以來新高。這種爆發式增長源于AI推理階段對低延遲、大容量存儲的迫切需求——當大模型處理實時請求時，需要從海量參數中快速檢索數據，而傳統機械硬盤（HDD）已無法滿足性能要求。

技術突破為NAND市場帶來新的增長極。隨著AI模型上下文窗口擴大，GPU顯存容量成為瓶頸，鍵值緩存卸載（KV Cache Offloading）技術應運而生。該技術將中間狀態數據從昂貴的HBM轉移到外部存儲，要求存儲設備同時具備高速和大容量特性。英偉達在CES 2026上發布的ICMS平臺，通過BlueField-4 DPU實現GPU直接訪問SSD，使eSSD實質上成為AI計算系統的"二級內存"。

供給側的結構性變化為NAND價格上行提供支撐。摩根大通預測，2026年NAND行業平均銷售價格將同比上漲40%，且2027年僅微跌2%維持高位。這種"量價齊升"的局面源于多重因素：HDD廠商因前幾年市場低迷大幅削減資本開支，導致大容量近線HDD交貨周期延長至2年；QLC閃存憑借性價比優勢加速替代HDD，目前SSD在業務關鍵型存儲領域滲透率僅19%，替代空間巨大。

技術瓶頸制約了NAND產能的快速擴張。當堆疊層數突破300層后，刻蝕難度呈指數級上升，晶圓翹曲問題加劇，混合鍵合技術的高門檻進一步限制了產出。摩根大通預計，2026年全球NAND晶圓產出同比增速僅為3%，遠低于21%的比特需求增速。這種供需失衡將使行業全年處于供不應求狀態，為價格提供堅實支撐。

主要存儲廠商的技術路線分化明顯。鎧俠憑借獨有的CBA架構脫穎而出，該技術將邏輯電路和存儲陣列分開制造再鍵合，使I/O速度大幅提升，特別適合AI推理場景。SK海力士通過收購英特爾NAND業務，在QLC eSSD市場占據絕對優勢，其30TB、60TB級產品幾乎沒有競爭對手。三星電子正加速V9 QLC技術量產，試圖奪回市場份額；美光科技則推出6500 ION系列eSSD，用232層TLC技術挑戰QLC市場。

市場估值體系正在重構。自2025年1月以來，全球存儲板塊市值激增242%，但純NAND標的與DRAM標的表現開始分化。摩根大通認為，隨著NAND在AI推理中的戰略地位被重新認識，市場將逐步剝離其"周期屬性"，賦予更多"成長屬性"。當前NAND行業潛在市場規模年均復合增長率預計將從過去十年的7%-12%跳漲至2025-2027年的34%。

消費電子需求疲軟構成潛在風險。NAND成本占筆記本電腦平均售價的比例預計將從4.3%回升至10%以上，可能迫使終端廠商降低存儲配置或抑制換機需求。但摩根大通強調，AI服務器單機存儲容量需求將達70TB以上，是通用服務器的3倍，到2027年eSSD將占據全球NAND比特需求的48%，成為第一大需求支柱。這種結構性變化將抵消部分消費端壓力，為行業持續增長提供動力。