1 月 28 日消息，臺積電 (TSMC) 今日向其參股的特色工藝晶圓代工企業世界先進 (VIS) 授權 650V 高壓和 80V 低壓兩種類型的氮化鎵 (GaN) 制程技術。

通過此次授權，世界先進擴展其硅襯底氮化鎵 (GaN-on-Si) 工藝制程至高壓應用領域，形成完整的 GaN-on-Si 平臺。考慮到世界先進原就擁有 GaN-on-QST 制程平臺，世界先進因此成為全球首家能同時提供兩種不同襯底氮化鎵高低壓工藝的晶圓制造服務公司。

通過本次技術授權，世界先進將打造一個能與現有無縫接軌的氮化鎵制程平臺，并將于公司成熟的八英寸晶圓生產平臺上進行驗證，以確保制程穩定性與高良率。相關開發作業預計于 2026 年初啟動，并于 2028 年上半年量產。