近日，國產NAND企業傳出“成功研制DRAM工程樣品”的消息，市場瞬間燃起國產存儲突圍的期待，相關概念熱度飆升。但在半導體業內人士眼中，這份期待更像是一場未醒的狂歡——眾人只看到了“造出一顆DRAM”的突破，卻忽視了從“樣品”到“量產”之間，橫亙著一條幾乎難以逾越的天塹。

行業共識早已明確：NAND與DRAM雖同屬存儲芯片，卻有著截然不同的技術基因，而跨界最難的，從來不是實驗室里的樣品攻關，而是規模化、高良率、穩定化的量產突圍，這正是NAND廠商跨界之路上最殘酷的考驗。

架構與工藝的異構性：不可逾越的物理界限

DRAM與NAND雖同屬存儲芯片，卻存在功能、工藝、產線的三重本質差異，構成NAND廠商跨界的核心門檻。功能上，DRAM是CPU、GPU的“工作臺”，主打納秒級高速讀寫與高帶寬，數據易失但直接決定計算效率;NAND是“圖書館”，側重海量存儲與數據持久化，二者功能不可替代，DRAM讀寫速度約為NAND的3000倍。工藝上，NAND走3D垂直堆疊的“蓋高樓”路線，核心是提升存儲密度，無需依賴EUV光刻機;DRAM則是微觀層面“挖深井”，需構建極窄極深的電容結構，制造難度與高端CPU相當，最先進的14nm級別DRAM需依賴EUV光刻機。產線上，二者生產線從設備配置、工藝參數到廠房設計完全不可復用，NAND工廠轉產DRAM需清空現有設備、投入數十億美金購置新設備并長期調試，巨額沉沒成本與漫長周期進一步抬高跨界門檻。

回望全球存儲產業的演進史，DRAM市場堪稱競爭最殘酷、門檻最高的賽道之一，即便曾經叱咤風云的行業巨頭，也難逃被淘汰的命運。德國的奇夢達、日本的爾必達，這些曾經代表著本國最高半導體技術水平的企業，都因無法承受DRAM產業高昂的試錯成本、劇烈的市場周期波動，以及技術迭代帶來的壓力，最終黯然退場。奇夢達作為曾經的全球第三大DRAM廠商，2009年因良率不及預期、資本鏈斷裂而破產;爾必達則因長期虧損、技術升級滯后，于2012年被美光收購。從產業規律來看，全球三大存儲巨頭均以DRAM起家，順勢切入NAND市場，而從NAND逆向“上攻”DRAM，尚無成功先例，奇夢達等巨頭的失敗，也為當下跨界廠商敲響了警鐘。

從樣品到商品：跨越商業化的鴻溝

近期，國產NAND企業推出LPDDR5　DRAM工程樣品的傳聞，讓市場看到了國產DRAM突圍的希望，但行業內部始終高度審慎。在半導體領域，“樣品”與“量產”之間隔著“死亡之谷”——樣品僅標志實驗室技術走通，與規模化、高良率、穩定化量產相去甚遠，這一跨越需面臨良率、認證、資本、競爭等多重考驗。

良率控制是量產的核心瓶頸，DRAM對存儲單元的穩定性、一致性要求極致，一片12英寸晶圓上數十億個單元，稍有異常便可能導致芯片報廢。跨界的NAND廠商缺乏DRAM制造經驗，良率爬升異常艱難，奇夢達當年65nm　DRAM良率長期低于60%，遠低于盈虧平衡點，最終陷入虧損。

下游客戶認證漫長而嚴苛，高端DRAM認證周期平均18個月，服務器級甚至超24個月，需完成上百項指標驗證。AI時代客戶要求更嚴苛，新產線認證可能需至2028年才能看到成果，而跨界廠商需從零積累客戶信任，面對巨頭的客戶壁壘難有突破。

巨額資本投入是另一道門檻，一條12英寸DRAM產線初始投資超100億美元，且需持續投入優化技術、提升良率。DRAM產業周期性極強，新進入者易遭遇“量產即虧損”，奇夢達便因行業低谷期資本鏈斷裂破產，國產NAND廠商雙線作戰，財務壓力更為巨大。

即便實現量產，還需面對巨頭壟斷的殘酷競爭。三星、美光、SK海力士占據全球95%以上市場份額，憑借規模效應、技術優勢和專利壁壘擠壓新進入者空間。此外，HBM并非跨界捷徑，其依賴先進DRAM原片量產能力，缺乏積淀貿然涉足只會浪費資源，這也是奇夢達當年的失敗教訓之一。

先天的技術鴻溝、歷史的失敗鏡鑒、量產的多重困局，共同構成了這場跨界之戰的“三重枷鎖”。對于中國存儲產業而言，突破DRAM技術壟斷的初心可嘉，但更需敬畏產業規律，摒棄“彎道超車”的浮躁心態。NAND廠商跨界DRAM，唯有沉心打磨量產技術、積累客戶信任、扛住資本壓力，才能有望跨越“死亡之谷”;否則，再亮眼的樣品，也終究難以轉化為市場競爭力，最終只能淪為跨界困局中的又一個嘗試者。