全球存儲芯片領域迎來重大突破——三星電子近日宣布，其研發的HBM4高帶寬存儲芯片已通過NVIDIA全流程認證，并將于農歷新年假期后（2月下旬）啟動批量交付。這一里程碑事件標志著全球首款第四代高帶寬存儲芯片正式進入大規模量產階段，為下一代人工智能計算平臺提供關鍵硬件支撐。
據供應鏈消息透露，三星此次量產的HBM4芯片采用革命性混合工藝：DRAM單元芯片應用第六代10nm級（1c）技術，基板芯片則采用4nm代工工藝。這種創新組合使芯片數據處理速度達到11.7Gbps，較JEDEC行業標準（8Gbps）提升37%，相比前代HBM3E（9.6Gbps）提高22%。單堆棧存儲帶寬突破3TB/s，是上一代產品的2.4倍，性能指標全面領跑行業。
存儲容量方面，HBM4通過12層堆疊技術實現36GB容量，未來升級至16層堆疊后將擴展至48GB。這種設計特別針對AI大模型訓練、自動駕駛等高算力場景，有效解決傳統存儲架構的帶寬瓶頸問題。NVIDIA計劃在3月16日至19日舉辦的GTC 2026大會上，首次公開展示搭載該芯片的Vera Rubin人工智能計算平臺。
NVIDIA CEO黃仁勛此前在CES 2026展會上透露，Vera Rubin平臺已進入全面生產階段，預計2026年下半年正式商用。三星HBM4的及時交付為該平臺落地掃清關鍵障礙，其超高性能可完美匹配新一代AI加速器對內存帶寬的嚴苛需求。行業分析師指出，HBM4的量產將推動全球存儲技術進入全新發展周期。
作為AI計算的核心組件，HBM芯片通過垂直堆疊多個DRAM芯片實現超高帶寬，已成為GPU、ASIC等加速器的標配解決方案。隨著生成式AI、大語言模型等應用的爆發式增長，全球HBM市場規模預計將在2026年突破300億美元。三星此次技術突破不僅鞏固了其在存儲領域的領先地位，更為全球AI產業升級提供了關鍵硬件基礎設施。
