半導(dǎo)體行業(yè)近日傳出重磅消息，英特爾在先進(jìn)制程代工領(lǐng)域接連取得突破性進(jìn)展。繼蘋果公司初步確定采用其18A工藝生產(chǎn)入門級(jí)M系列芯片后，聯(lián)發(fā)科也被曝出將成為英特爾14A工藝的重要客戶，這一動(dòng)向標(biāo)志著英特爾正加速重返高端芯片代工市場(chǎng)。

據(jù)供應(yīng)鏈人士透露，蘋果與英特爾的合作已進(jìn)入實(shí)質(zhì)階段。雙方不僅簽署了保密協(xié)議，蘋果更已獲取18A-P工藝的PDK樣本進(jìn)行技術(shù)評(píng)估。這款專為入門級(jí)M系列芯片設(shè)計(jì)的工藝，最快將于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。更值得關(guān)注的是，蘋果2028年計(jì)劃推出的定制化ASIC芯片，將采用英特爾的EMIB封裝技術(shù)，這標(biāo)志著雙方合作從晶圓制造延伸至先進(jìn)封裝領(lǐng)域。

英特爾18A-P工藝的最大技術(shù)亮點(diǎn)在于首次引入Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)。該技術(shù)通過硅通孔實(shí)現(xiàn)多芯粒垂直堆疊，可使芯片間互聯(lián)密度提升10倍以上。這項(xiàng)突破性技術(shù)不僅適用于桌面級(jí)處理器，更為未來移動(dòng)端芯片的異構(gòu)集成開辟了新路徑。

在蘋果之外，聯(lián)發(fā)科成為英特爾代工業(yè)務(wù)的又一重量級(jí)客戶。消息人士指出，聯(lián)發(fā)科計(jì)劃將14A工藝應(yīng)用于天璣系列移動(dòng)芯片，但這項(xiàng)合作面臨重大技術(shù)挑戰(zhàn)。英特爾在18A和14A節(jié)點(diǎn)上全面采用背面供電技術(shù)，雖然能帶來20%以上的性能提升，卻會(huì)導(dǎo)致芯片自發(fā)熱效應(yīng)顯著增強(qiáng)。對(duì)于空間受限的移動(dòng)設(shè)備而言，如何解決散熱問題將成為合作成敗的關(guān)鍵。

行業(yè)分析師指出，若英特爾能成功攻克移動(dòng)芯片的散熱難題，將徹底改變?nèi)蛐酒じ窬帧Ｄ壳芭_(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，英特爾的突破性進(jìn)展不僅為蘋果、聯(lián)發(fā)科等大客戶提供更多選擇，更可能引發(fā)新一輪的技術(shù)競(jìng)賽。這場(chǎng)制程工藝的軍備競(jìng)賽，最終將推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)向更高性能、更低功耗的方向發(fā)展。