群聯(lián)電子首席執(zhí)行官潘健成近日發(fā)出警告，DRAM內(nèi)存與NAND閃存的市場短缺狀況遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)期，且這一結(jié)構(gòu)性供需失衡問題或?qū)⒀永m(xù)至2030年后。他指出，當(dāng)前晶圓代工廠在供應(yīng)鏈中占據(jù)絕對主導(dǎo)地位，甚至要求客戶預(yù)付未來三年產(chǎn)能款項(xiàng)，這種前所未有的交易模式凸顯了供應(yīng)端的強(qiáng)勢地位。

據(jù)行業(yè)內(nèi)部估算，存儲芯片短缺局面至少將持續(xù)至2030年，部分分析甚至認(rèn)為危機(jī)可能延續(xù)十年之久。潘健成特別提到，英偉達(dá)即將推出的Vera Rubin AI基礎(chǔ)設(shè)施及其ICMS平臺對存儲性能提出嚴(yán)苛要求，僅這一產(chǎn)品線就可能消耗全球超過20%的NAND產(chǎn)能。目前業(yè)界尚未充分評估企業(yè)級需求激增對消費(fèi)市場的沖擊，一旦相關(guān)需求集中釋放，消費(fèi)級產(chǎn)品供應(yīng)空間將進(jìn)一步被壓縮。

存儲芯片短缺對產(chǎn)業(yè)鏈的影響已開始顯現(xiàn)。潘健成預(yù)測，2025年末至2026年間，將有大量企業(yè)因無法保障內(nèi)存供應(yīng)而被迫停產(chǎn)或調(diào)整產(chǎn)品線。到2026年下半年，低利潤品牌將面臨大規(guī)模淘汰，低端存儲產(chǎn)品可能從市場徹底消失，形成明顯的供應(yīng)真空期。這種結(jié)構(gòu)性調(diào)整將持續(xù)至供應(yīng)鏈恢復(fù)平衡，屆時(shí)市場增長才可能重新加速。

AI技術(shù)發(fā)展對存儲行業(yè)的顛覆性影響成為關(guān)注焦點(diǎn)。潘健成強(qiáng)調(diào)，人工智能對DRAM的巨大需求正在重塑產(chǎn)業(yè)格局，多個(gè)消費(fèi)細(xì)分領(lǐng)域可能遭受嚴(yán)重沖擊甚至消失。隨著企業(yè)級存儲需求持續(xù)攀升，行業(yè)正步入充滿變數(shù)的深度調(diào)整階段，供應(yīng)鏈各環(huán)節(jié)均需重新評估風(fēng)險(xiǎn)應(yīng)對策略。