近期，科技行業圍繞蘋果與英特爾的合作傳聞展開熱烈討論。據證券機構透露，蘋果正考慮將部分M系列處理器及非Pro版iPhone芯片的代工業務交由英特爾負責，具體計劃在2027年推出的低端M系列芯片和2028年iPhone標準版芯片中采用英特爾18A-P工藝。
為推進合作評估，蘋果已與英特爾簽署保密協議，并獲取了18A-P工藝的PDK（工藝設計套件）樣本。該工藝作為英特爾首個支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術的節點，可通過TSV技術實現多芯片垂直堆疊，被視為英特爾在先進制程領域的重要突破。
然而，行業內部對英特爾代工iPhone芯片的前景普遍持謹慎態度。核心爭議聚焦于BSPD（背面供電）技術的應用差異：臺積電采取選擇性部署策略，僅在部分工藝節點采用該技術以完善產品組合；而英特爾則在其最先進的18A和14A工藝中全面應用BSPD。
BSPD技術通過縮短背面供電金屬路徑降低電壓降，理論上可提升芯片工作頻率的穩定性。但對于移動設備芯片而言，這種性能提升幅度有限。更關鍵的是，該技術會引發顯著的自發熱問題——垂直散熱效率低下疊加橫向散熱受限，在依賴空氣散熱或存在溫度限制的場景中幾乎無法有效解決。
基于散熱難題，多位行業分析師認為英特爾短期內難以獲得iPhone芯片代工訂單。不過他們同時指出，M系列處理器因應用場景對散熱要求相對寬松，仍存在與英特爾合作的可能性。這場技術路線之爭，或將重塑全球半導體代工市場的競爭格局。
