據韓媒ZDNet Korea報道，高帶寬內存（HBM）的量產模式正經歷重大調整。傳統半導體行業遵循“認證通過后量產”的標準化流程，但HBM供應鏈為應對核心客戶迫切需求，已開始采用“認證未完成即投產”的新策略。這種打破常規的做法，正在重塑全球存儲芯片市場的競爭格局。
三星電子與SK海力士近期同步推進HBM4風險量產計劃。SK海力士在財報說明會上透露，自去年9月建立量產體系以來，已按客戶指定規模啟動生產。該公司采用的“風險量產”模式，即在客戶最終認證（Qual測試）完成前，提前投入晶圓進行規模化生產，這種策略在半導體行業極為罕見。
交付周期壓力成為驅動廠商冒險的關鍵因素。HBM從投片到出貨需約4個月周期，若等待認證結束再量產，將無法匹配英偉達2025年AI加速器的上市節奏。行業數據顯示，HBM4初期良率較前代產品下降約15%，疊加產能爬坡周期，常規量產模式將導致至少6個月的市場空窗期。
三星電子同步釋放量產信號。該公司在業績發布會上確認，HBM4已通過客戶性能評估并進入量產階段，2月起將正式出貨包括11.7Gbps高速版本在內的全系列產品。綜合產業鏈信息，三星實際于去年下半年即啟動風險量產，其量產進度與SK海力士形成同步競爭態勢。
這種激進策略伴隨顯著風險。庫存管理成為最大挑戰，若英偉達調整采購計劃或產品出現重大缺陷，供應商將承擔數億美元級的庫存損失。據測算，HBM4單片晶圓成本較DDR5高出3倍，任何需求波動都可能引發連鎖反應。行業分析師指出，只有具備垂直整合能力的存儲巨頭才敢采用這種高風險模式。
目前兩家企業的HBM4測試仍在持續進行，英偉達設定的最終認證截止日為今年第一季度末。這場圍繞AI芯片核心組件的量產競賽，不僅考驗著廠商的技術實力，更成為衡量其供應鏈風險管理能力的試金石。隨著AI算力需求持續爆發，HBM市場的競爭格局或將因此發生根本性改變。
