近日，軟銀集團(tuán)與英特爾達(dá)成一項(xiàng)重要合作協(xié)議，雙方將共同推動(dòng)下一代存儲(chǔ)技術(shù)Z-Angle Memory（ZAM）的商業(yè)化進(jìn)程，以應(yīng)對(duì)人工智能（AI）和高性能計(jì)算領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的需求。這一合作標(biāo)志著兩大科技巨頭在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的深度融合，有望為全球算力基礎(chǔ)設(shè)施帶來(lái)新的變革。

根據(jù)合作協(xié)議，軟銀全資子公司Saimemory將與英特爾攜手，計(jì)劃在2028年3月31日前推出ZAM技術(shù)原型產(chǎn)品，并于2029財(cái)年實(shí)現(xiàn)正式商業(yè)化。這一技術(shù)旨在數(shù)據(jù)中心及大規(guī)模AI模型訓(xùn)練和推理環(huán)境中，實(shí)現(xiàn)高容量、高帶寬的數(shù)據(jù)處理，同時(shí)提升處理性能并降低功耗。合作消息公布后，軟銀和英特爾的股價(jià)均出現(xiàn)上漲，軟銀股價(jià)在Robinhood交易中上漲3.13%，英特爾股價(jià)上漲5%。

此次合作的核心方向是聯(lián)合研發(fā)先進(jìn)存儲(chǔ)器的核心技術(shù)。英特爾將重點(diǎn)提升下一代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的性能與能效，以滿(mǎn)足AI算力的高強(qiáng)度需求。英特爾技術(shù)CTO Joshua Fryman表示，現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存架構(gòu)已無(wú)法滿(mǎn)足AI技術(shù)的發(fā)展需求，英特爾已研發(fā)出全新的內(nèi)存架構(gòu)與芯片組裝方法，能夠在提升DRAM性能的同時(shí)，有效降低功耗與生產(chǎn)成本，預(yù)計(jì)未來(lái)十年將實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用。

當(dāng)前，AI相關(guān)應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)內(nèi)存的需求正呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，市場(chǎng)對(duì)AI存儲(chǔ)的需求已遠(yuǎn)超供應(yīng)能力，內(nèi)存供應(yīng)鏈出現(xiàn)明顯短缺。ZAM計(jì)劃對(duì)能源效率的重點(diǎn)打磨，正是針對(duì)AI計(jì)算高能耗的行業(yè)痛點(diǎn)，回應(yīng)了市場(chǎng)對(duì)低功耗算力基礎(chǔ)設(shè)施的需求。據(jù)《日經(jīng)亞洲》報(bào)道，已有日本跨國(guó)IT設(shè)備與服務(wù)企業(yè)參與到該技術(shù)項(xiàng)目的研發(fā)中。

Saimemory成立于2024年12月，是軟銀集團(tuán)旗下專(zhuān)注于下一代存儲(chǔ)技術(shù)商業(yè)化研發(fā)的全資子公司。此次與英特爾的合作，是其成立后的核心布局之一。在技術(shù)研發(fā)過(guò)程中，Saimemory將依托英特爾在下一代DRAM綁定（NGDB）項(xiàng)目中的技術(shù)積淀。NGDB項(xiàng)目由英特爾主導(dǎo)，旨在大幅提升計(jì)算機(jī)和服務(wù)器主存DRAM的性能與能效，其技術(shù)研發(fā)還依托于美國(guó)能源部支持的先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)（AMT）項(xiàng)目。

按照規(guī)劃，Saimemory的目標(biāo)是在2028年3月31日前完成ZAM技術(shù)原型的研發(fā)，并在2029財(cái)年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。軟銀表示，未來(lái)將繼續(xù)攜手英特爾，聯(lián)合全球各地的技術(shù)合作伙伴與日本國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)深化研發(fā)，助力日本本土先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新，提升日本在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

隨著全球科技企業(yè)對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)的持續(xù)投入，下一代存儲(chǔ)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化落地速度或?qū)⑦M(jìn)一步加快，推動(dòng)算力基礎(chǔ)設(shè)施向更高效、更低耗的方向升級(jí)。軟銀與英特爾的此次合作，不僅整合了雙方在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)資源上的優(yōu)勢(shì)，也為AI時(shí)代低功耗、高性能存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展提供了新的可能。