在近日舉辦的2026創(chuàng)新日活動(dòng)上，西部數(shù)據(jù)（WD）向外界展示了其在機(jī)械硬盤領(lǐng)域的多項(xiàng)技術(shù)突破，涵蓋容量擴(kuò)展、性能提升及能效優(yōu)化三大方向。其中，高帶寬硬盤技術(shù)與雙軸雙磁臂技術(shù)成為關(guān)注焦點(diǎn)，標(biāo)志著機(jī)械硬盤在存儲(chǔ)密度與傳輸效率上邁入新階段。

高帶寬硬盤技術(shù)通過三級(jí)致動(dòng)器系統(tǒng)（主致動(dòng)器、微致動(dòng)器、毫致動(dòng)器）實(shí)現(xiàn)多磁道同步讀寫，在保持總擁有成本（TCO）不變的前提下，將隨機(jī)操作帶寬提升至1.7倍，順序操作帶寬翻倍。該技術(shù)已具備在50TB級(jí)產(chǎn)品中落地的條件，未來100TB級(jí)硬盤更可支持8軌道并行處理，進(jìn)一步突破I/O速率瓶頸。西部數(shù)據(jù)透露，此技術(shù)通過優(yōu)化磁頭定位精度，解決了傳統(tǒng)硬盤單通道訪問的效率限制。

另一項(xiàng)革新性設(shè)計(jì)——雙軸雙磁臂技術(shù)，采用盤片雙側(cè)獨(dú)立磁頭布局，使盤片間隙縮小30%，從而在相同體積內(nèi)增加盤片數(shù)量。這一方案不僅將順序讀寫性能提升至雙倍水平，還完美兼容現(xiàn)有存儲(chǔ)生態(tài)系統(tǒng)，功耗指標(biāo)亦符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)規(guī)劃，該技術(shù)將率先應(yīng)用于60TB容量段產(chǎn)品，為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心提供更高密度的存儲(chǔ)解決方案。

在能效領(lǐng)域，西部數(shù)據(jù)推出低轉(zhuǎn)速優(yōu)化機(jī)械硬盤，通過動(dòng)態(tài)調(diào)整主軸轉(zhuǎn)速，在犧牲5%-10%順序性能的代價(jià)下，實(shí)現(xiàn)最高20%的功耗降低，同時(shí)獲得10%的容量增益。這項(xiàng)技術(shù)特別適用于冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)場景，可顯著降低大規(guī)模部署的運(yùn)營成本。測試數(shù)據(jù)顯示，搭載該技術(shù)的硬盤在待機(jī)狀態(tài)下功耗較傳統(tǒng)型號(hào)下降18%，連續(xù)讀寫時(shí)能效比提升15%。