全球內存市場正迎來新一輪技術變革。在AI算力需求持續井噴的背景下，英特爾宣布將聯合軟銀旗下子公司Saimemory，共同研發新一代內存技術ZAM（Z-angle Memory），這項基于創新架構的存儲方案有望打破現有技術格局。

據技術資料顯示，ZAM內存采用顛覆性的"Z字形"交錯互連拓撲結構，通過銅-銅混合鍵合技術實現芯片層間的無縫融合。這種三維堆疊設計突破了傳統垂直布線的物理限制，使單芯片容量達到驚人的512GB，較當前主流HBM內存提升數倍。更值得關注的是，其無電容架構配合EMIB封裝技術，在降低40%-50%功耗的同時，將熱阻控制在行業領先水平。

當前AI基礎設施面臨雙重挑戰：一方面，大模型訓練產生的數據量呈指數級增長，對內存帶寬和容量提出嚴苛要求；另一方面，數據中心能耗問題日益突出，部分超算中心電力成本已占總運營支出的40%以上。ZAM技術通過架構創新同時解決這兩大痛點，其每瓦特性能較現有方案提升近一倍，特別適用于需要海量數據并行處理的場景。

這并非英特爾首次布局內存領域。上世紀80年代，該公司曾占據全球DRAM市場25%份額，后因日本廠商的價格戰于1985年退出。此次重返賽道，英特爾整合了其在先進封裝領域的核心優勢，特別是EMIB技術已成功應用于多代至強處理器。與Saimemory的合作則補足了存儲介質研發的短板，雙方計劃在未來三年投入超過20億美元進行技術攻關。

行業分析師指出，ZAM技術的商業化進程面臨多重考驗。首要挑戰在于說服英偉達等AI芯片巨頭采用新標準，這需要證明其綜合成本優勢超過現有HBM生態。512GB芯片的良率控制、散熱系統設計等工程問題，都需要在量產階段逐步解決。據供應鏈消息，英特爾已與多家云服務商展開前期驗證，預計2026年推出首批樣品。

內存市場格局正隨AI發展加速重構。美光科技近期宣布投資2000億美元擴建HBM產能，三星則押注CXL內存擴展技術。在這場軍備競賽中，ZAM能否成為破局者，將取決于其能否在性能、成本、生態三個維度建立綜合優勢。可以預見的是，隨著英特爾的入局，內存技術路線之爭將進入全新階段。