據(jù)行業(yè)分析機(jī)構(gòu)SemiAnalysis最新報告，在下一代高帶寬內(nèi)存（HBM4）市場競爭中，韓系廠商三星與SK海力士已形成絕對優(yōu)勢，而美光科技因技術(shù)路線失誤，或?qū)氐资ビミ_(dá)Rubin芯片的訂單供應(yīng)資格。

報告顯示，英偉達(dá)Rubin平臺所需的HBM4內(nèi)存供應(yīng)份額已全部被韓系廠商占據(jù)，其中SK海力士預(yù)計拿下70%訂單，三星則獲得剩余30%份額。這意味著美光在該領(lǐng)域的市場份額將歸零，徹底退出這場高端存儲芯片的爭奪戰(zhàn)。

美光此次失利的核心原因在于其堅持自主設(shè)計制造HBM4基礎(chǔ)裸片的技術(shù)路線。與其他競爭對手不同，美光拒絕與臺積電等外部代工廠合作，也未利用三星的自有邏輯代工能力，而是選擇獨立完成所有生產(chǎn)環(huán)節(jié)。這種"單打獨斗"的策略導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)嚴(yán)重散熱問題，且引腳速度無法達(dá)到英偉達(dá)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。

技術(shù)瓶頸之外，時間窗口的錯失更是致命打擊。英偉達(dá)Vera Rubin芯片已進(jìn)入全速生產(chǎn)階段，供應(yīng)鏈名單早已確定。盡管美光計劃在2026年第二季度重新提交優(yōu)化后的產(chǎn)品進(jìn)行資格測試，但此時市場格局已定，重新入局的機(jī)會十分渺茫。

反觀競爭對手，三星通過攻克引腳速度技術(shù)難關(guān)，成功擺脫HBM3時代的延誤陰影，重新獲得英偉達(dá)認(rèn)可。SK海力士則憑借與臺積電的深度合作，在制程工藝上保持領(lǐng)先優(yōu)勢。這兩家韓系廠商通過不同的技術(shù)路徑，最終在HBM4市場形成了雙雄壟斷的局面。

業(yè)內(nèi)人士指出，HBM內(nèi)存作為人工智能計算的核心組件，其技術(shù)迭代速度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)存儲芯片。美光此次在基礎(chǔ)裸片設(shè)計上的固執(zhí)堅持，不僅導(dǎo)致產(chǎn)品性能落后，更使其錯失了與英偉達(dá)建立長期合作關(guān)系的寶貴機(jī)會。這場競爭失利或?qū)⒂绊懨拦庠谖磥鞟I芯片市場的戰(zhàn)略布局。