存儲芯片領域迎來新一輪技術競賽，SK海力士與三星在LPDDR6內存模塊的研發上展開激烈角逐。據行業消息，SK海力士率先推出基于1cnm DRAM工藝的新一代產品，單顆芯片容量達16Gb，傳輸速率突破至14.4Gbps，直接觸及當前JEDEC國際標準的性能上限，成為已公開規格中速度最快的LPDDR6解決方案。
這款專為端側AI應用優化的存儲器在能效比方面實現顯著提升，其數據處理速度較前代產品提高近40%，同時功耗降低25%。技術專家指出，1cnm工藝的突破不僅縮小了芯片體積，更通過架構創新實現了信號完整性與電源效率的雙重優化，為智能手機、自動駕駛等場景的實時計算需求提供關鍵支撐。
競爭對手三星電子同步推進技術迭代，在已量產12nm工藝、10.7Gbps速率版本的基礎上，正加速開發12.8Gbps速率的16Gb容量模塊。由于采用相對成熟的制程節點，三星新品的芯片面積較SK海力士方案增大約12%，但通過電路設計優化，其能效表現仍保持行業領先水平。
產業鏈消息顯示，三星研發團隊正在攻關14Gbps速率技術，計劃通過改進極紫外光刻（EUV）工藝和信號增強技術實現突破。若研發成功，其產品性能將與SK海力士當前水平持平，但考慮到制程代差，三星方案在成本控制方面可能更具優勢。這場存儲巨頭的技術博弈，正推動移動端內存進入14Gbps時代。
