長光華芯近日發布公告，其全資子公司蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司計劃以800萬元認購蘇州星沅光電科技有限公司新增注冊資本62.5萬元。此次增資涉及關聯交易，相關審議程序已順利完成。

根據公告內容，星沅光電本輪增資總額達2400萬元，除長光華芯研究院外，另有三家機構共同參與，合計出資1600萬元。增資前，研究院已持有星沅光電20%股權；增資完成后，其持股比例將提升至23.07%。星沅光電的注冊資本也將從625萬元增加至812.5萬元，其他股東均選擇放棄優先認購權。

此次增資的核心聚焦于化合物半導體領域。星沅光電專注于高端磷化銦（InP）激光器芯片、器件及模塊的研發與生產。磷化銦作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的重要成員，與長光華芯主攻的砷化鎵（GaAs）同屬化合物半導體材料體系。

作為全球少數幾家具備6寸線外延、晶圓制造等關鍵制程生產能力的IDM半導體激光器企業之一，長光華芯采用IDM模式，全面覆蓋半導體激光芯片的研發、生產與銷售。公司已構建砷化鎵、磷化銦等五大材料體系，并建立邊發射和面發射兩大工藝技術與制造平臺。

長光華芯表示，此次向關聯方增資旨在滿足星沅光電的產線建設與日常運營資金需求，加速高端磷化銦激光器芯片、器件及相關模塊、子系統的開發進程，從而進一步提升公司的核心競爭力。

磷化銦因其優異的光電特性，在AI數據中心高速光通信、激光雷達等領域占據核心地位，是當前高景氣的化合物半導體賽道的關鍵材料。通過此次增資，長光華芯成功實現從成熟的砷化鎵激光芯片向高增長的磷化銦芯片領域的延伸，進一步完善了化合物半導體全產業鏈布局，為國產高端光芯片的替代進程注入新動力。