2月2日消息，在過(guò)去的幾周時(shí)間里，蘋(píng)果牽手英特爾的傳聞引發(fā)廣泛關(guān)注。

有證券機(jī)構(gòu)披露，蘋(píng)果會(huì)讓英特爾代工部分M系列處理器和非Pro版iPhone芯片，預(yù)計(jì)在2027年發(fā)貨的低端M系列芯片以及2028年iPhone標(biāo)準(zhǔn)版芯片中使用英特爾18A-P工藝。

消息稱蘋(píng)果公司已經(jīng)與英特爾簽署了保密協(xié)議，并獲取了其先進(jìn)的18A-P工藝的PDK（工藝設(shè)計(jì)套件）樣本，用于產(chǎn)品評(píng)估。資料顯示，英特爾18A-P工藝是其首個(gè)支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)的工藝節(jié)點(diǎn)，該技術(shù)允許通過(guò)TSV實(shí)現(xiàn)多個(gè)小芯片的垂直堆疊。

不過(guò)行業(yè)人士對(duì)英特爾代工iPhone芯片潑了一盆冷水，認(rèn)為英特爾絕無(wú)可能會(huì)代工iPhone芯片，主要原因是BSPD（背面供電）技術(shù)。

具體來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電是部分工藝節(jié)點(diǎn)采用 BSPD、部分不采用，以此完善其產(chǎn)品組合；而英特爾則是在其最先進(jìn)的18A和14A工藝上全面押注BSPD。

據(jù)悉，BSPD的優(yōu)勢(shì)是提升芯片性能，由于芯片是通過(guò)背面更短、更粗的金屬路徑供電，這降低了電壓降，支持更高、更穩(wěn)定的工作頻率，但是對(duì)于移動(dòng)芯片而言，這種方案帶來(lái)的性能增益微乎其微。

更糟糕的是，該方案會(huì)帶來(lái)嚴(yán)重的自發(fā)熱效應(yīng)，需要額外的散熱措施。因?yàn)榇怪鄙嵝Ч^差，橫向散熱也很更糟，在許多依賴空氣散熱或有溫度限制的場(chǎng)景中，這根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)。

由于這些散熱問(wèn)題，行業(yè)人士認(rèn)為，英特爾在短期內(nèi)絕無(wú)可能獲得iPhone芯片的代工訂單。當(dāng)然，M系列處理器由于散熱空間相對(duì)較大，或許仍存在合作的可能性。（振亭）